公开(公告)号：CN116153853A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211453174.4

申请日：2022-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安星柱 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  申建旭

IPC: H01L21/764

Abstract: 提供了一种制造包括限定气隙的二维材料层的半导体器件的方法和自该方法制造的半导体器件。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成结构，其中该结构具有开口；将基板装载到工艺室中；在结构的上表面上形成至少一个二维材料层以覆于开口上并形成气隙，其中气隙的上部由至少一个二维材料层限定；以及从工艺室卸载基板。

公开(公告)号：CN115196622A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210207355.2

申请日：2022-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  卞卿溵 ,  赵连柱 ,  申建旭 ,  李殷奎 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  申铉振 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  林炫锡

IPC: C01B32/186

Abstract: 提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。

公开(公告)号：CN114188305A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111031346.4

申请日：2021-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林炫锡 ,  赵玟赫 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  山本薰 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  郑根吾

IPC: H01L23/532 ,  H01L29/45 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种布线结构和包括该布线结构的半导体器件。该布线结构包括在衬底上的包括掺杂多晶硅的第一导电图案、在第一导电图案上的包括金属硅化物的欧姆接触图案、在欧姆接触图案上的包括金属硅氮化物的防氧化图案、在防氧化图案上的包括石墨烯的扩散阻挡物、以及在扩散阻挡物上的包括金属的第二导电图案。