公开(公告)号：CN112349725B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202010512608.8

申请日：2020-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  尹善昊 ,  崔凤贤

IPC: H10B43/00 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20

Abstract: 提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：基底，具有单元区、位于单元区的相对侧上的贯穿通孔区以及围绕单元区和贯穿通孔区的模制件区；栅电极，沿着与基底的上表面垂直的第一方向彼此间隔开，并且在与基底的上表面平行的第二方向上延伸；沟道，在单元区上沿第一方向延伸，并且延伸穿过堆叠的栅电极的至少一部分；以及第一模制件，包括在模制件区上沿着第一方向交替地且重复地堆叠的第一层和第二层，第一层和第二层包括彼此不同的绝缘材料，并且第一模制件的每个第二层与栅电极中的对应的栅电极位于相同的高度处且接触。

公开(公告)号：CN112349725A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010512608.8

申请日：2020-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  尹善昊 ,  崔凤贤

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：基底，具有单元区、位于单元区的相对侧上的贯穿通孔区以及围绕单元区和贯穿通孔区的模制件区；栅电极，沿着与基底的上表面垂直的第一方向彼此间隔开，并且在与基底的上表面平行的第二方向上延伸；沟道，在单元区上沿第一方向延伸，并且延伸穿过堆叠的栅电极的至少一部分；以及第一模制件，包括在模制件区上沿着第一方向交替地且重复地堆叠的第一层和第二层，第一层和第二层包括彼此不同的绝缘材料，并且第一模制件的每个第二层与栅电极中的对应的栅电极位于相同的高度处且接触。

公开(公告)号：CN110581136A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910137449.5

申请日：2019-02-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹善昊 ,  白石千 ,  千志成 ,  郑恩宅

IPC: H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：栅电极结构，包括在与基底的上表面基本垂直的第一方向上顺序地堆叠在基底上的地选择线(GSL)、字线和串选择线(SSL)；以及沟道，在第一方向上贯穿栅电极结构延伸，其中，GSL具有掺杂的多晶硅图案以及包括金属或金属硅化物的第一金属图案，掺杂的多晶硅图案和第一金属图案堆叠在第一方向上，其中，字线和SSL中的每个具有包括金属的第二金属图案。