公开(公告)号：CN115720445A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202210615719.0

申请日：2022-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李海旻 ,  金柄宅 ,  宋怰周

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27 ,  H10B43/40 ,  H10B41/41

Abstract: 公开了一种三维(3D)半导体存储器装置和包括其的电子系统。3D半导体存储器装置可以包括：衬底，其包括第一区域和第二区域；堆叠结构，其包括交替且重复地堆叠在衬底上的层间电介质层和栅电极，并且在第二区域上具有台阶结构；模制结构，其在第一区域上与堆叠结构相邻，并且包括交替且重复地堆叠在衬底上的层间电介质层和牺牲层；第一分离结构，其与堆叠结构交叉，并且沿着第一方向从第一区域朝向第二区域延伸；以及第二分离结构，其与模制结构交叉，并且在第一方向上在第一区域上延伸。第一分离结构的顶表面的水平可以高于第二分离结构的顶表面的水平。