公开(公告)号：CN109540295A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201810337027.8

申请日：2018-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相吉 ,  田炳焕 ,  安泰兴

IPC: G01J3/443 ,  G01J3/02 ,  G01N21/73

Abstract: 本公开提供了原子发射光谱仪、半导体制造系统和半导体元件制造方法。一种原子发射光谱仪(AES)包括：至少一个激光发生器，其被构造为产生激光束；室，其包括布置在室中的椭圆反射镜或球面镜，椭圆反射镜或球面镜被构造为反射透射至室中的激光束，使得激光束会聚和照射至容纳在室中的被分析物上，以产生等离子体并发射等离子体光；供应器，其连接至室，以将被分析物供应至室中；以及光谱仪，其被构造为接收和分析等离子体光，并且获得关于等离子体光的数据以检测被分析物中的元素。

公开(公告)号：CN118480770A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410178498.4

申请日：2024-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相烨 ,  崔世彬 ,  朴智誉 ,  黄炳浩 ,  金圣协 ,  安泰兴

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  C23C16/52

Abstract: 提供了一种源气体喷嘴和一种半导体晶圆处理设备。该源气体喷嘴包括：上游管；下游管；和连接上游管和下游管的U形弯管，其中多个第一排气孔沿着上游管和下游管中的至少一个在纵长方向上设置，并且非排气孔区和包括多个第二排气孔的不对称排气孔区设置在上游管和下游管中的相对的管中，并且其中非排气孔区和不对称排气孔区相邻。

公开(公告)号：CN112420553A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010824509.3

申请日：2020-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安泰兴 ,  拉辛·爱丽霞·奥克斯特·拿索 ,  具男一 ,  朴秀桓 ,  吴相演

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 一种晶圆检查设备，包括支撑结构，其包括框架和安装在框架上的真空吸盘，每一个真空吸盘具有包括真空抽吸部分的支撑表面，所述支撑结构被配置为在结构上支撑一个或多个真空吸盘上的晶圆，所述框架限定其面积大于晶圆的面积的开口。所述晶圆检查设备包括：电磁波发射器，其被配置为将检查电磁波辐射到晶圆；传感器，其被配置为基于穿过晶圆的检查电磁波从晶圆接收检查电磁波；以及驱动器，其被配置为移动电磁波发射器和框架中的至少一个，以改变晶圆的辐射位置。每一个真空吸盘被配置为关于框架在第一位置与第二位置之间选择性地可移动。

公开(公告)号：CN109507190A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811066403.0

申请日：2018-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安泰兴 ,  金英德 ,  朴相吉 ,  朴峻范 ,  岩阳一郎 ,  田炳焕

IPC: G01N21/88

Abstract: 一种检查设备包括光源。第一测量单元被配置为接收来自光源的光并将其引导到第一测量物体。第二测量单元被配置为接收来自光源的光并将其引导到第二测量物体。检查单元被配置为接收从第一测量单元提供的第一光信号并且使用第一光信号检查第一测量物体，并且接收从第二测量单元提供的第二光信号并且使用第二光信号检查第二测量物体。测量位置选择单元被配置为通过调整反射镜的角度来交替地启用两个测量单元的检查。