公开(公告)号：CN104008964A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410058164.X

申请日：2014-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载润 ,  李承宰 ,  孙夏英 ,  洪镇基 ,  黄圣德

IPC: H01L21/304 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L33/0095 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2933/0041

Abstract: 本发明提供了研磨衬底的方法和用该研磨衬底的方法制造半导体发光器件的方法。制备包括第一主表面和第二主表面的衬底，其中所述第一主表面上形成有半导体层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对。使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面。所述衬底的第二主表面被研磨，使得所述衬底的厚度减少。通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜。

公开(公告)号：CN104008964B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410058164.X

申请日：2014-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载润 ,  李承宰 ,  孙夏英 ,  洪镇基 ,  黄圣德

IPC: H01L21/304 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L33/0095 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2933/0041

Abstract: 本发明提供了研磨衬底的方法和用该研磨衬底的方法制造半导体发光器件的方法。制备包括第一主表面和第二主表面的衬底，其中所述第一主表面上形成有半导体层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对。使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面。所述衬底的第二主表面被研磨，使得所述衬底的厚度减少。通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜。

公开(公告)号：CN110223999B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN201910154648.7

申请日：2019-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛榕燮 ,  尹柱宪 ,  孙夏英

IPC: H10H29/14 ,  H10H20/831 ,  H10H20/833 ,  H10H20/84 ,  H10H20/841 ,  H10H20/857

Abstract: 提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括：发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部；透明电极层，其布置在发光结构上；透明保护层，其布置在透明电极层上；分布式布拉格反射器层，其布置在透明保护层上，并且覆盖透明电极层的至少一部分；以及至少一个电极焊盘，其通过孔或过孔连接至透明电极层。

公开(公告)号：CN109273572B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201810791156.4

申请日：2018-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹柱宪 ,  沈载仁 ,  金起范 ,  孙夏英 ,  辛榕燮

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/44

Abstract: 一种半导体发光装置包括发光结构、反射电极层和透明覆盖层。发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。反射电极层覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层位于反射电极层上，覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层包括尾部，其包括第一部分和第二部分。第一部分覆盖反射电极层的边缘并且具有凸上表面。第二部分比第一部分更薄并且从第一部分延伸。

公开(公告)号：CN110223999A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910154648.7

申请日：2019-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛榕燮 ,  尹柱宪 ,  孙夏英

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: 提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括：发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部；透明电极层，其布置在发光结构上；透明保护层，其布置在透明电极层上；分布式布拉格反射器层，其布置在透明保护层上，并且覆盖透明电极层的至少一部分；以及至少一个电极焊盘，其通过孔或过孔连接至透明电极层。

公开(公告)号：CN109273572A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201810791156.4

申请日：2018-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹柱宪 ,  沈载仁 ,  金起范 ,  孙夏英 ,  辛榕燮

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/44

Abstract: 一种半导体发光装置包括发光结构、反射电极层和透明覆盖层。发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。反射电极层覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层位于反射电极层上，覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层包括尾部，其包括第一部分和第二部分。第一部分覆盖反射电极层的边缘并且具有凸上表面。第二部分比第一部分更薄并且从第一部分延伸。