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公开(公告)号：CN118804589A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311672207.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李善行 , 孙东熙
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置，包括：外部有源图案，其在衬底上，外部有源图案具有与外部有源图案交叉的沟槽；外部字线，其覆盖沟槽的壁；内部有源图案，其在沟槽中覆盖外部字线；内部字线，其在沟槽中覆盖内部有源图案；以及分离绝缘图案，其在沟槽中插置在外部字线和内部有源图案之间。外部字线和内部字线彼此绝缘。
