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公开(公告)号：CN104425512A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410443006.6
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/1157 , H01L27/11519 , H01L27/11582 , H01L29/4234 , H01L29/7926
Abstract: 一种半导体器件包括字线和绝缘图案的叠层。单元柱垂直地延伸穿过所述字线和绝缘图案的叠层，存储单元形成在单元柱和字线的交汇处。字线的厚度与直接相邻的绝缘图案的厚度的比例沿所述单元柱中的一个或多个在不同的位置处不同。还公开了相关的制造方法和系统。
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公开(公告)号：CN110085598B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201910052369.X
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/35 , H10B43/27 , H10B43/10 , H01L29/792
Abstract: 一种半导体器件包括字线和绝缘图案的叠层。单元柱垂直地延伸穿过所述字线和绝缘图案的叠层，存储单元形成在单元柱和字线的交汇处。字线的厚度与直接相邻的绝缘图案的厚度的比例沿所述单元柱中的一个或多个在不同的位置处不同。还公开了相关的制造方法和系统。
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公开(公告)号：CN104659207A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410640196.0
申请日：2014-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置，该存储装置包括：第一选择线至第三选择线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向交叉的第二方向顺序地布置；多组第一竖直柱至第三竖直柱，每组与第一选择线至第三选择线中的相应的选择线结合，多组第一竖直柱至第三竖直柱沿第二方向顺序地布置；第一子互连件，将与第一选择线结合的第三竖直柱连接到与第二选择线结合的第一竖直柱；第二子互连件，将与第二选择线结合的第三竖直柱连接到与第三选择线结合的第一竖直柱；位线，沿第二方向延伸并且连接到第一子互连件和第二子互连件中的相应的子互连件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102087879A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010576815.6
申请日：2010-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: H01R13/44 , G06F1/16 , G06F1/185 , G06K19/07732 , G06K19/07743 , G11C5/05 , G11C16/06 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15174 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种存储卡和电子装置。该存储卡包括用于与外部电子装置电连接的互连端子。互连端子可以与存储卡的前面隔开一距离，该距离大于互连端子的长度。备选地，存储卡可以在其前面与之前的互连端子之间包括其它互连端子。之前的互连端子和之后的互连端子可以用于与不同类型的电子装置电连接。
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公开(公告)号：CN110085598A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910052369.X
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L27/11519 , H01L29/792
Abstract: 一种半导体器件包括字线和绝缘图案的叠层。单元柱垂直地延伸穿过所述字线和绝缘图案的叠层，存储单元形成在单元柱和字线的交汇处。字线的厚度与直接相邻的绝缘图案的厚度的比例沿所述单元柱中的一个或多个在不同的位置处不同。还公开了相关的制造方法和系统。
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公开(公告)号：CN104659207B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201410640196.0
申请日：2014-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置，该存储装置包括：第一选择线至第三选择线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向交叉的第二方向顺序地布置；多组第一竖直柱至第三竖直柱，每组与第一选择线至第三选择线中的相应的选择线结合，多组第一竖直柱至第三竖直柱沿第二方向顺序地布置；第一子互连件，将与第一选择线结合的第三竖直柱连接到与第二选择线结合的第一竖直柱；第二子互连件，将与第二选择线结合的第三竖直柱连接到与第三选择线结合的第一竖直柱；位线，沿第二方向延伸并且连接到第一子互连件和第二子互连件中的相应的子互连件。
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公开(公告)号：CN104425512B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201410443006.6
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11519 , H01L27/1157 , H01L29/792 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括字线和绝缘图案的叠层。单元柱垂直地延伸穿过所述字线和绝缘图案的叠层，存储单元形成在单元柱和字线的交汇处。字线的厚度与直接相邻的绝缘图案的厚度的比例沿所述单元柱中的一个或多个在不同的位置处不同。还公开了相关的制造方法和系统。
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