公开(公告)号：CN1195243C

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN00132400.4

申请日：2000-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪雯杓 ,  洪完植 ,  金湘日 ,  卢水贵 ,  姜珍奎 ,  金湘甲

IPC: G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法。显示区中具有在矩阵阵列形式的像素处有开口的黑底，外围区中具有包括公用焊盘和公用信号线的公用布线及栅焊盘，外部区域中具有用于精确地对准绝缘基板上的各中间薄膜层的对准标记。在绝缘基板上像素处形成其边缘与黑底重叠的红、绿、蓝滤色器，并在其上形成覆盖黑底和滤色器、并具有暴露栅焊盘的接触孔的有机绝缘层。在有机绝缘层上形成包括通过接触孔与栅焊盘连接的栅线和与栅线连接的栅极的栅布线，并在有机绝缘层上形成覆盖栅布线的栅绝缘层。用与外部区域中的黑底或滤色器相同的层形成对准标记。

公开(公告)号：CN1290922A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00132400.4

申请日：2000-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪雯杓 ,  洪完植 ,  金湘日 ,  卢水贵 ,  姜珍奎 ,  金湘甲

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 显示区中具有在矩阵阵列形式的像素处有开口的黑底,外围区中具有包括公用焊盘和公用信号线的公用布线及栅焊盘,外部区域中具有用于精确地对准绝缘基板上的各中间薄膜层的对准标记。在绝缘基板上像素处形成其边缘与黑底重叠的红、绿、蓝滤色器,并在其上形成覆盖黑底和滤色器、并具有暴露栅焊盘的接触孔的有机绝缘层。在有机绝缘层上形成包括通过接触孔与栅焊盘连接的栅线和与栅线连接的栅极的栅布线,并在有机绝缘层上形成覆盖栅布线的栅绝缘层。

公开(公告)号：CN1825601A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005899.1

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜珍奎

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列显示板，其包括：基板；形成在所述基板上的多个半导体岛；覆盖所述半导体岛的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的多条栅极线；连接到所述源极区且形成在所述栅极绝缘层上的多条数据线；以及连接到所述漏极区的多个像素电极。阵列的相同列中半导体之间，半导体的选定作为栅极区的部分的晶粒边界处的凸出的数目变化(不同、不相等)，其防止由泄漏电流引起的可见条纹，所述泄漏电流由所述凸出导致。所述阵列的相同列内所述半导体之间，每个半导体岛的位置变化。供选地，所述阵列的相同列中均匀定位的半导体之间，定义所述半导体岛的所述栅极区的所述栅极电极的位置变化。