公开(公告)号：CN100495710C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200510073710.8

申请日：2005-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜成泽 ,  金成均 ,  朴志薰

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  G11C16/04

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7883

Abstract: 本发明公开了一种非易失性半导体存储器件，其包括：栅极叠层，其具有依次形成在半导体衬底上的隧道氧化膜、浮置栅极、层间绝缘膜和控制栅极；第一扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的一个侧表面上；第二扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的另一个侧表面上；以及沟道区域，其形成在半导体衬底中、第一和第二扩散区之间，其中所述浮置栅极的两个侧表面在沟道长度方向上都是波浪形状的。

公开(公告)号：CN1707803A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510073710.8

申请日：2005-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜成泽 ,  金成均 ,  朴志薰

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  G11C16/04

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7883

Abstract: 本发明公开了一种非易失性半导体存储器件，其包括：栅极叠层，其具有依次形成在半导体衬底上的隧道氧化膜、浮置栅极、层间绝缘膜和控制栅极；第一扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的一个侧表面上；第二扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的另一个侧表面上；以及沟道区域，其形成在半导体衬底中、第一和第二扩散区之间，其中所述浮置栅极的两个侧表面在沟道长度方向上都是波浪形状的。