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公开(公告)号：CN1753103A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510092345.5
申请日：2005-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/417 , G11C7/12 , H01L27/11
CPC classification number: G11C7/12 , G11C7/18 , G11C2207/002 , H01L27/0688 , H01L27/1108
Abstract: 集成电路存储设备包括：电耦接到第一对位线的第一列存储器元件以及位线预充电和选择电路。该位线预充电和选择电路包括薄膜晶体管的至少一个层叠布置。这些薄膜晶体管包括第一PMOS薄膜上拉晶体管和第一NMOS薄膜通道晶体管。这些薄膜晶体管电耦接到第一对位线之一。第一列存储器元件包括一列TFT SRAM元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1753103B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200510092345.5
申请日：2005-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/417 , G11C7/12 , H01L27/11
CPC classification number: G11C7/12 , G11C7/18 , G11C2207/002 , H01L27/0688 , H01L27/1108
Abstract: 集成电路存储设备包括：电耦接到第一对位线的第一列存储器元件以及位线预充电和选择电路。该位线预充电和选择电路包括薄膜晶体管的至少一个层叠布置。这些薄膜晶体管包括第一PMOS薄膜上拉晶体管和第一NMOS薄膜通道晶体管。这些薄膜晶体管电耦接到第一对位线之一。第一列存储器元件包括一列TFT SRAM元件。
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公开(公告)号：CN1921004B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200610121875.2
申请日：2006-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性存储器件，其包括：公用线；第一写入二极管、读取二极管和第二写入二极管，并联连接到该公用线上。该磁性存储器件还包括：磁性隧道结结构，连接到该读取二极管上；第一和第二写入导体，设置在该磁性隧道结结构的两侧，并分别连接到该第一和第二写入二极管上；和第一写入线、读取线和第二写入线，其分别连接到该第一写入导体、该磁性隧道结结构和该第二写入导体上。
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公开(公告)号：CN100557811C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610009594.8
申请日：2006-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种具有单元二极管的相变存储器件的制造方法，包括在第一导电型的半导体衬底上，形成多条平行字线和填充所述字线之间间隙区的字线隔离层，所述字线形成以具有与所述第一导电型不同的第二导电型并且具有平的顶表面；在所述字线和字线隔离层上形成上成型层，构图所述上成型层以形成暴露所述字线预定区的多个上开口；在所述上开口内顺序形成第一半导体图案和第二半导体图案，所述第一半导体图案形成以具有所述第一导电型或第二导电型，并且所述第二半导体图案形成以具有第一导电型；并且分别在所述第二半导体图案上方形成多个相变材料图案，所述相变材料图案分别电连接到所述第二半导体图案。
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公开(公告)号：CN1921004A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610121875.2
申请日：2006-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性存储器件，其包括：公用线；第一写入二极管、读取二极管和第二写入二极管，并联连接到该公用线上。该磁性存储器件还包括：磁性隧道结结构，连接到该读取二极管上；第一和第二写入导体，设置在该磁性隧道结结构的两侧，并分别连接到该第一和第二写入二极管上；和第一写入线、读取线和第二写入线，其分别连接到该第一写入导体、该磁性隧道结结构和该第二写入导体上。
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公开(公告)号：CN1832190A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610009594.8
申请日：2006-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种具有单元二极管的相变存储器件及其制造方法。所述相变存储器件包括：第一导电型的半导体衬底；设置在半导体衬底上的多条平行字线，所述字线具有不同于第一导电型的第二导电型并且具有基本平的顶表面；沿各条字线的字线长度方向一维排列的多个第一半导体图案，第一半导体图案具有第一导电型或第二导电型；堆叠在第一半导体图案上的具有第一导电型的第二半导体图案；提供于具有第二半导体图案的衬底上的绝缘层，所述绝缘层填充字线之间的间隙区、第一半导体图案间的间隙区和第二半导体图案之间的间隙区；以及二维排列于绝缘层上多个相变材料图案，并且所述相变材料图案分别电连接到第二半导体图案。
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