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公开(公告)号：CN115831697A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211025582.X
申请日：2022-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 提供了一种干蚀刻装置、使用其的晶片蚀刻系统和干蚀刻方法。该干蚀刻装置包括：等离子体工艺腔室；边缘环，该边缘环布置在等离子体工艺腔室中并且晶片安装在该边缘环上；遮蔽环，在晶片的等离子体蚀刻工艺期间定位成在边缘环上方以第一垂直距离间隔开；操作单元，联接到遮蔽环并具有升高和降低遮蔽环的升降销；具有多个固定销的固定部分，该多个固定销在不同的位置处与升降销接合以固定遮蔽环的降低点；以及距离控制单元，控制固定部分以确定第一垂直距离，其中第一垂直距离由晶片和边缘环之间的第一水平距离确定。
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