公开(公告)号：CN111490048A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201911270314.2

申请日：2019-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔承勋 ,  具滋应 ,  金官性 ,  金保延 ,  金完敦 ,  尹普彦 ,  任廷爀 ,  全艺伶

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；层间绝缘层，位于所述半导体衬底上，所述层间绝缘层包括：第一开口，所述第一开口在所述第一区域上，并且具有第一宽度；以及第二开口，所述第二开口在所述第二区域上，并且具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；至少一个第一金属图案，所述至少一个第一金属图案填充所述第一开口；第二金属图案，所述第二金属图案位于所述第二开口中；以及填充图案，所述填充图案在所述第二开口中位于所述第二金属图案上，其中，所述至少一个第一金属图案和所述第二金属图案均包括相同的第一金属材料，所述填充图案由非金属材料形成。

公开(公告)号：CN111490048B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201911270314.2

申请日：2019-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔承勋 ,  具滋应 ,  金官性 ,  金保延 ,  金完敦 ,  尹普彦 ,  任廷爀 ,  全艺伶

IPC: H10B41/10 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/42 ,  H10B43/10 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；层间绝缘层，位于所述半导体衬底上，所述层间绝缘层包括：第一开口，所述第一开口在所述第一区域上，并且具有第一宽度；以及第二开口，所述第二开口在所述第二区域上，并且具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；至少一个第一金属图案，所述至少一个第一金属图案填充所述第一开口；第二金属图案，所述第二金属图案位于所述第二开口中；以及填充图案，所述填充图案在所述第二开口中位于所述第二金属图案上，其中，所述至少一个第一金属图案和所述第二金属图案均包括相同的第一金属材料，所述填充图案由非金属材料形成。