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公开(公告)号：CN112038403A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010494337.8
申请日：2020-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/165 , H01L27/092
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括鳍结构，其具有交替地堆叠在衬底上并在第一方向上延伸的多个第一半导体图案和多个第二半导体图案。半导体器件包括半导体盖层，其位于鳍结构的上表面上，并在与第一方向交叉的第二方向上沿鳍结构的相对侧表面延伸。半导体器件包括栅电极，其位于半导体盖层上，并在第二方向上延伸。半导体器件包括位于半导体盖层与栅电极之间的栅极绝缘膜。另外，半导体器件包括连接到鳍结构的源/漏区。多个第一半导体图案包括锗(Ge)含量在25％至35％的范围内的硅锗(SiGe)，并且多个第二半导体图案包括硅(Si)。
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