公开(公告)号：CN109799577B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201811249930.5

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丹尼尔·卡罗瑟斯 ,  提塔许·瑞许特

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/124 ,  G02B6/13 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明阐述一种为半导体衬底提供垂直光学通孔的方法及半导体器件。半导体衬底具有前表面及后侧。在前表面上形成硬掩模，硬掩模中具有开孔。移除半导体衬底的被开孔暴露出的部分以形成通孔孔洞。通孔孔洞具有不超过一百微米的宽度及底部。在通孔孔洞中提供包覆层及芯层。芯层具有比包覆层的折射率大的至少第二折射率。移除半导体衬底的包括后侧的部分以暴露出芯层的底部部分及半导体衬底的底表面。垂直光学通孔包括包覆层及芯层。垂直光学通孔从前表面延伸到底表面。

公开(公告)号：CN109799577A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811249930.5

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丹尼尔·卡罗瑟斯 ,  提塔许·瑞许特

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/124 ,  G02B6/13 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明阐述一种为半导体衬底提供垂直光学通孔的方法及半导体器件。半导体衬底具有前表面及后侧。在前表面上形成硬掩模，硬掩模中具有开孔。移除半导体衬底的被开孔暴露出的部分以形成通孔孔洞。通孔孔洞具有不超过一百微米的宽度及底部。在通孔孔洞中提供包覆层及芯层。芯层具有比包覆层的折射率大的至少第二折射率。移除半导体衬底的包括后侧的部分以暴露出芯层的底部部分及半导体衬底的底表面。垂直光学通孔包括包覆层及芯层。垂直光学通孔从前表面延伸到底表面。