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公开(公告)号：CN119165314A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202311467442.2
申请日：2023-11-03
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种功率GaN器件动态导通电阻的测试系统及方法，测试系统包括：低压电源、升压电路、恒流源电路、钳位电路、驱动电路；低压电源连接升压电路；测试模组包括开关管QC，被测器件组Q1、Q2......Qn，控制管QC漏极连接升压电路一侧，控制管QC源极连接GaN器件Q1漏极，GaN器件Q1源极连接GaN器件Q2漏极，GaN器件Q2源极连接GaN器件Q3漏极，......依次类推，GaN器件Qn‑1源极连接GaN器件Qn漏极，GaN器件Qn源极接地；开关管QC的栅极、被测器件组Q1、Q2......Qn的栅极均连接驱动电路；被测器件组Q1、Q2......Qn的源极、漏极分别并联连接电阻R1、R2......Rn；被测器件组Q1、Q2......Qn连接恒流源电路；电阻R1、R2......Rn两端分别连接钳位电路，钳位电路连接数据采集系统。本发明提高测量氮化镓器件的动态导通电阻可靠性。
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公开(公告)号：CN119514130A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411424731.9
申请日：2024-10-12
Applicant: 三峡大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 一种半导体功率器件焊料层形变能的数值计算方法，分析热载荷下焊料的应力‑应变特性，构建本构方程；计算半导体功率器件焊料层应力‑应变的数值；根据半导体功率器件焊料层应力‑应变计算形变能的数值；分析不同因素对形变能的影响。该方法以焊料层为研究对象，给出了应力‑应变建模流程，评估不同形式的方波损耗载荷对焊料层应力‑应变特性和形变能的影响。该计算方法具有易实施，数据可视化的特点。
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公开(公告)号：CN119341537A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411335720.3
申请日：2024-09-24
Applicant: 三峡大学
IPC: H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 一种功率半导体器件桥臂正负向串扰抑制电路，该电路包括推挽电路、RCD辅助电路、半导体器件。推挽电路连接RCD辅助电路，再通过RCD辅助电路连接半导体器件；本发明在下桥臂开关管受到正向串扰时，通过RCD辅助电路无源元件在源极产生正向电压等效减小正向串扰加在器件栅源极处的过电压，产生的源极正向电压会在负向串扰来临前恢复到0V，而不影响负向串扰；在负向串扰时，通过RCD辅助电路减小等效驱动电阻，降低由于米勒电流在栅极处产生的负向过电压。该电路具有可兼容性和经济性，操作简单易于实施。对于提高器件导通关断可靠性、保障系统稳定运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119134855A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411335721.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种GaN功率器件桥臂正向串扰抑制电路，所述串扰抑制电路连接主电路中GaN功率器件的栅极、源极之间，包括：推挽电路、负压生成电路、恢复电路。所述负压生成电路用于产生所需负压，防止器件因为正向串扰而误导通；所述恢复电路用于在负串扰来临之前释放产生的负压，以防器件栅极反向击穿。本发明使用无源元件产生负压，可以有效抑制正向串扰，同时不会增加负向串扰，防止器件栅极反向击穿。具有设计简单、可靠性高、成本低等优势。
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公开(公告)号：CN119125815A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202311460114.X
申请日：2023-11-03
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种GaN功率器件动态导通电阻的监测电路及监测方法，在GaN器件开通时注入恒定的漏极电流，通过提取器件的漏源电压实现动态导通电阻的监测。该测量电路包含隔离电源单元、常规驱动单元、电流输出单元、触发单元、采样单元、调节单元、钳位电路单元共七个部分。当被测器件DUT处于高压阻断状态时，电流输出单元不输出电流，钳位电路单元输出为保护低压信号；当被测器件DUT导通时，电流输出单元将电流注入被测器件DUT，此时钳位电路单元反映被测器件DUT的导通电压，进而获得GaN器件的动态导通电阻。本发明具有结构简单、设计成本低、测量精度高等优势。
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