本发明涉及一种半导体结构的测量方法。半导体结构包括衬底、第一接触插塞及第二接触插塞；衬底内具有有源区及至少位于衬底内的第一隔离结构，第一隔离结构的顶面高于衬底的顶面；第一接触插塞位于第一隔离结构的正上方，第二接触插塞位于有源区的正上方，第一接触插塞与第二接触插塞的顶面齐平；方半导体结构的测量方法包括：获取第一接触插塞的第一电阻值；获取第二接触插塞的第二电阻值；根据第一电阻值及第二电阻值，确定第一隔离结构顶面与有源区顶面的高度差。可以直接对高度差进行测量，增大表征范围，方便快捷，并且能够减小不同操作者进行切片测量的人工误差，同时可以根选择性地测量不同位置的高度差，方便工艺调试与选择。