Invention Publication
- Patent Title: 一种高热导率、高模量碳化硅陶瓷及其制备方法
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Application No.: CN202510046969.0Application Date: 2025-01-13
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Publication No.: CN119822840APublication Date: 2025-04-15
- Inventor: 陈健 , 黄常聪 , 黄政仁 , 廖圣俊 , 高晨溪 , 彭兰
- Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- Applicant Address: 上海市长宁区定西路1295号
- Assignee: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- Current Assignee: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- Current Assignee Address: 上海市长宁区定西路1295号
- Agency: 上海瀚桥专利代理事务所
- Agent 郑优丽; 王勇
- Main IPC: C04B35/565
- IPC: C04B35/565 ; C04B35/622 ; C04B35/638

Abstract:
本发明涉及一种高热导率、高模量碳化硅陶瓷及其制备方法。所述高热导率、高模量碳化硅陶瓷的制备方法包括以下步骤:(1)将碳化硅原料粉体与溶剂进行第一次混合,然后向其中加入粘结剂并进行第二次混合,得到碳化硅原料混合浆料;(2)将所述碳化硅原料混合浆料成型为素坯并进行加热固化处理,经脱粘,得到碳化硅陶瓷坯体;(3)对碳化硅陶瓷坯体进行增碳浸渍处理并进行脱粘,得到增碳浸渍碳化硅陶瓷坯体;(4)对所述增碳浸渍碳化硅陶瓷坯体进行液态硅渗透处理,得到所述高热导率、高模量碳化硅陶瓷。
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