本发明公开了一种场发射器件及其制备方法，属于真空微纳电子器件领域。本发明制备的场发射器件包括栅‑阳极一体结构和阴极结构；栅‑阳极一体结构包括位于高导电阳极背面的金属电极，位于高导电阳极正面的阳极‑栅极绝缘层，位于阳极‑栅极绝缘层上的图形化栅极层，位于栅极层上的栅极‑阴极绝缘层，以及位于栅极‑阴极绝缘层上的栅极金属引线电极；其中栅极金属引线电极临近栅极工作区域，连接于栅极层；阴极结构包括衬底，位于衬底正面的阴极，以及位于阴极背面的金属电极；阴极结构的阴极一侧固定在栅‑阳极一体结构的栅极工作区域的栅极‑阴极绝缘层上。本发明能够增强器件的性能优化与调控能力，降低制备成本和难度。