Invention Publication
- Patent Title: 一种碳化硅陶瓷及其制备方法
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Application No.: CN202411195933.0Application Date: 2024-08-29
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Publication No.: CN119059821APublication Date: 2024-12-03
- Inventor: 陈宇红 , 刘瑞彬 , 徐照芸 , 海万秀 , 陈振祥
- Applicant: 北方民族大学
- Applicant Address: 宁夏回族自治区银川市西夏区文昌北街204号
- Assignee: 北方民族大学
- Current Assignee: 北方民族大学
- Current Assignee Address: 宁夏回族自治区银川市西夏区文昌北街204号
- Agency: 宁夏闰佳知识产权代理事务所
- Agent 郑重
- Main IPC: C04B35/565
- IPC: C04B35/565 ; C04B35/573 ; C04B35/622 ; C04B35/634 ; C04B35/64

Abstract:
本发明提供的碳化硅陶瓷的制备方法,主要步骤包括浆料混合、真空消泡、固化成型、干燥、坯体碳化及渗硅烧结,无需陈腐,简化了制备方法;采用异丁烯马来酸酐共聚物发生凝胶反应,且异丁烯马来酸酐共聚物为中分子量异丁烯马来酸酐共聚物和低分子量异丁烯马来酸酐共聚物混合而成,提高浆料的分散和固化速度;烧结方式是以碳化硅为骨架,石墨及酚醛树脂反应生成碳化硅以及液相硅结合进行反应烧结。本方法制备的碳化硅陶瓷导热率大大提高,可达到141W·m‑1K‑1,比现有技术中的方法导热率提高了33W·m‑1K‑1,提高率30.56%,且制备方便简单,便于高效量产。
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