本发明提供一种高深宽比接触孔的制作方法，包括：提供衬底，于衬底上形成金属层和层间介质层，层间介质层包括相对设置的第一厚度部与第二厚度部；于层间介质层上形成层叠的氮化硅掩膜层和氮化钛掩膜层，氮化硅掩膜层与第二厚度部的厚度比不大于氮化硅掩膜层与第二厚度部的刻蚀选择比，氮化钛掩膜层与第一厚度部的厚度比不小于氮化钛掩膜层与第一厚度部的刻蚀选择比；图形化掩膜叠层以形成开口；基于图形化的掩膜叠层刻蚀层间介质层以形成通孔。本发明中采用氮化硅掩膜层和氮化钛掩膜层作为阻挡层刻蚀层间介质层，根据刻蚀选择比能够完全消耗氮化硅掩膜层，避免氮化硅残留提高器件电性能；并且无需增加氮化硅研磨液和氮化硅回刻工艺，降低成本。