Invention Publication
- Patent Title: 一种高附着力Cu薄膜电极及其制备方法
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Application No.: CN202211572790.1Application Date: 2022-12-08
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Publication No.: CN115710686APublication Date: 2023-02-24
- Inventor: 徐旭 , 薛俊 , 熊涛 , 刘灿 , 王航 , 何光宗 , 张天行
- Applicant: 湖北久之洋红外系统股份有限公司 , 华中光电技术研究所(中国船舶集团有限公司第七一七研究所)
- Applicant Address: 湖北省武汉市江夏区庙山开发区明泽街9号;
- Assignee: 湖北久之洋红外系统股份有限公司,华中光电技术研究所(中国船舶集团有限公司第七一七研究所)
- Current Assignee: 湖北久之洋红外系统股份有限公司,华中光电技术研究所(中国船舶集团有限公司第七一七研究所)
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市江夏区庙山开发区明泽街9号;
- Agency: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- Agent 许美红; 刘洋
- Main IPC: C23C14/02
- IPC: C23C14/02 ; C23C14/18 ; C23C14/24

Abstract:
本发明公开了一种高附着力Cu薄膜电极,由下至上依次为光学基片、电加热膜、过渡连接层、Cu薄膜;所述过渡连接层采用金属铬膜,厚度为12nm~15nm;本发明所得金属薄膜电极具有优良牢固度,和光学基片表面膜层的附着力优良;可以实现膜层焊接不穿孔脱落、电阻值低,易于在其表面采用焊接的方式连接引线,且多次通电稳定可靠,环境适应性好;形状和轮廓可以根据设计要求进行定制,设计合适结构的镀膜治具即可实现各种形状金属薄膜电极的镀制。
Public/Granted literature
- CN115710686B 一种高附着力Cu薄膜电极及其制备方法 Public/Granted day:2024-10-15
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