Invention Grant
- Patent Title: 陶瓷-铜复合体、陶瓷电路基板、功率模块及陶瓷-铜复合体的制造方法
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Application No.: CN201980086356.2Application Date: 2019-12-26
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Publication No.: CN113226610BPublication Date: 2022-08-16
- Inventor: 汤浅晃正 , 中村贵裕 , 西村浩二
- Applicant: 电化株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 电化株式会社
- Current Assignee: 电化株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 杨宏军; 李国卿
- Priority: 2018-248175 20181228 JP
- International Application: PCT/JP2019/051108 2019.12.26
- International Announcement: WO2020/138283 JA 2020.07.02
- Date entered country: 2021-06-25
- Main IPC: B23K1/00
- IPC: B23K1/00 ; H01L23/12 ; H01L23/15 ; H01L23/14 ; C04B37/02 ; H05K1/09

Abstract:
陶瓷‑铜复合体,其为具备陶瓷层、铜层和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层的平板状陶瓷‑铜复合体,其中,将陶瓷‑铜复合体沿着与其主面垂直的面切断时,在铜层的切面中,将具有自(102)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(102)%、具有自(101)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(101)%、具有自(111)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(111)%、具有自(112)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为S(112)%时,满足特定的式(1)。
Public/Granted literature
- CN113226610A 陶瓷-铜复合体、陶瓷电路基板、功率模块及陶瓷-铜复合体的制造方法 Public/Granted day:2021-08-06
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