本发明为一种铝掺杂氧化钨基的双选择性气敏传感器的制备方法。该方法利用磁控溅射法，将W靶溅射功率调至95‑110W，打开基片旋转控制开关，打开基片挡板，通氧溅射WO3薄膜，20min后，关闭氧气；将Al靶溅射功率调至40‑42W，溅射Al薄膜6‑10min；再通氧溅射WO3薄膜20min；制备出A‑B‑A三明治结构的薄膜。本发明的气敏传感器在不同工作温度下分别对甲醇与乙醇蒸汽有高选择性、高灵敏度和较短的响应‑恢复时间的优点。