本发明提供一种存储单元的制作方法，属于半导体制造技术领域，包括：提供一定义有栅极预制备区及源漏预制备区的半导体衬底并于半导体衬底表面依次形成一浮栅隧穿氧化层、一浮栅多晶硅层以及一浮栅二氧化硅层；于栅极预制备区上方的浮栅二氧化硅层形成一第一凹槽；去除浮栅二氧化硅层，且于栅极预制备区上方的浮栅多晶硅层形成一第二凹槽；在浮栅多晶硅层上方沉积一ONO层；于ONO层表面形成一控制栅层；去除源漏预制备区上方的控制栅层、ONO层以及浮栅多晶硅层；于源漏预制备区实施离子注入工艺后进行退火处理以形成源漏极。本发明的有益效果：提高浮栅与控制栅的接触面积，提高浮栅与控制栅的耦合率，从而提高存储单元的写入和擦除效率。