本发明的目的在于，提供一种蚀刻方法及利用所述蚀刻方法蚀刻而成的具有导电性高分子的基板，所述蚀刻方法可以简单且容易地对使用特定的铈(Ⅳ)化合物的导电性高分子的蚀刻进行管理，可以稳定地进行蚀刻。本发明的蚀刻方法的特征在于，包含：蚀刻工序，使用包含特定的铈(Ⅳ)化合物的蚀刻液对导电性高分子进行蚀刻；分析工序，利用选自氧化还原电位测定、氧化还原滴定及电导率测定中的至少一种分析方法对蚀刻液进行分析；以及，管理工序，根据利用所述分析工序所得到的结果对蚀刻工序进行管理。