Invention Grant
CN101681820B 形成浅接合的技术
失效 - 权利终止
- Patent Title: 形成浅接合的技术
- Patent Title (English): Techniques for forming shallow junctions
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Application No.: CN200880015242.0Application Date: 2008-04-04
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Publication No.: CN101681820BPublication Date: 2013-01-09
- Inventor: 爱德温·A·阿雷瓦洛 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 安东尼·雷诺 , 乔纳森·吉罗德·英格兰
- Applicant: 瓦里安半导体设备公司
- Applicant Address: 美国麻萨诸塞州
- Assignee: 瓦里安半导体设备公司
- Current Assignee: 瓦里安半导体设备公司
- Current Assignee Address: 美国麻萨诸塞州
- Agency: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- Agent 臧建明
- Priority: 11/733,467 2007.04.10 US
- International Application: PCT/US2008/059333 2008.04.04
- International Announcement: WO2008/124554 EN 2008.10.16
- Date entered country: 2009-11-09
- Main IPC: H01L21/265
- IPC: H01L21/265 ; H01J37/317
Abstract:
本发明揭示形成浅接合的技术。在一个特定示范性实施例中，技术可被实现为形成浅接合的方法。此方法可包括生成包括分子离子的离子束，分子离子基于由下列各物所构成的群族中选出的一种或多种物质：二锗烷(Ge2H6)、氮化锗(Ge3N4)、锗-氟化合物(GeFn，其中n＝1、2或3)，以及其它含锗化合物。此方法亦可包括使离子束冲击半导体晶片。
Public/Granted literature
- CN101681820A 形成浅接合的技术 Public/Granted day:2010-03-24
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IPC分类:
