Invention Grant
- Patent Title: 元件晶片和元件晶片的制造方法
- Patent Title (English): Element wafer and method for manufacturing the same
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Application No.: CN200810166473.3Application Date: 2008-10-09
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Publication No.: CN101539586BPublication Date: 2013-01-09
- Inventor: 奥村美香 , 堀川牧夫 , 佐藤公敏 , 山口靖雄
- Applicant: 三菱电机株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 三菱电机株式会社
- Current Assignee: 三菱电机株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 闫小龙; 刘宗杰
- Priority: 2008-067786 2008.03.17 JP
- Main IPC: G01P15/00
- IPC: G01P15/00 ; B81C1/00 ; B81B7/00 ; H01L21/00 ; H01L21/822 ; H01L27/04
Abstract:
本发明涉及元件晶片和元件晶片的制造方法。本发明的目的在于提供一种元件晶片的制造方法，该方法能够抑制裂隙对在半导体晶片上层叠的膜的用于形成元件的部位的损伤。在半导体晶片(21)上的第一绝缘膜(22)和第二绝缘膜(27)上设置凹部(10)。第一绝缘膜(22)和第二绝缘膜(27)被加工，在半导体晶片(21)上的用于形成加速度传感器(20)的主要区域(6)上设置布线(26)。进一步在布线(26)上层叠牺牲膜(24)和导电性膜(25)，这些膜被加工，在主要区域(6)设置多个薄膜结构体(28)。凹部(10)包围主要区域(6)。
Public/Granted literature
- CN101539586A 元件晶片和元件晶片的制造方法 Public/Granted day:2009-09-23
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