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公开(公告)号：CN114730130B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202080078101.4
申请日：2020-11-23
Applicant: 默克专利股份有限公司
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物其包含(A)聚合物组分、(B)光致产酸剂组分、(C)光活性重氮萘醌组分及(D)溶剂。该聚合物组分包含酚醛清漆衍生物及包含羟基苯乙烯重复单元的聚合物的混合物。该聚合物组分包含具有游离酚羟基部分的重复单元及具有受酸可裂解缩醛部分保护的酚羟基部分的重复单元。该正型光致抗蚀剂组合物适用于制造电子装置。
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公开(公告)号：CN119816725A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380056935.9
申请日：2023-08-04
Applicant: 默克专利股份有限公司
Abstract: 具有封闭端以及一个或多个开口的盖帽被附接到光学拉曼探头传感器的端头。盖帽用于阻挡杂散光噪声进入传感器的端头。通过这种方式，拉曼光谱可以更准确且一致。此外，盖帽可以被永久地连附或可拆卸地附接到传感器。在一些实施例中，反射表面可以被包括在盖帽的封闭端的内表面上。这种反射表面可以朝着端头反射拉曼散射光，从而将接收到的信号增强2倍到100倍。
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公开(公告)号：CN119799347A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411397158.7
申请日：2024-10-09
Applicant: 默克专利股份有限公司
IPC: C09K19/46 , C09K19/44 , C09K19/56 , G02F1/1333
Abstract: 本发明涉及基于极性化合物的混合物的液晶(LC)介质或液晶材料，涉及其用于光学、电光和电子目的，特别是在LC显示器，尤其是在边缘场切换模式LC显示器中的用途，涉及包含所述LC介质的边缘场切换模式LC显示器，尤其是节能LC显示器，以及制造所述LC显示器的方法。
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公开(公告)号：CN119790097A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202380062476.5
申请日：2023-07-24
Applicant: 默克专利股份有限公司
Abstract: 本发明涉及：聚合物组合物，所述聚合物组合物包含由聚酰胺或聚酯构成的载体聚合物基质，其中嵌入特定的聚合物颗粒；制备这种聚合物组合物的方法；其在有机聚合物组合物中作为激光刻字添加剂或激光焊接添加剂的用途；以及包含这种聚合物组合物的可激光刻字或可激光焊接的有机聚合物组合物。
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公开(公告)号：CN119731215A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380060066.7
申请日：2023-08-15
Applicant: 默克专利股份有限公司
IPC: C08F112/08 , C08F120/14 , C08F4/08 , C08F2/06 , B01J27/18 , C07F9/28 , C07F9/32 , C07F9/40 , C07F9/53 , C07F1/02 , C09D125/06 , C09D133/10 , C07F9/30 , C07F9/16
Abstract: 结构(A)的聚合物，其具有两个端基R3p和R4p，以及具有结构(Ip)或(IIp)的重复单元的聚合物链(R)。R3p是C‑1至C‑8烷基、结构(IIIp)的部分、或结构(IIIp1)的部分。如果重复单元是(IIp)，则R3p是C‑1至C‑8烷基。如果重复单元具有(Ip)，则R3p是结构(IIIp)或结构(IIIp1)。R4p是封端部分，诸如H、结构(IVp)的部分、结构(IVp1)的部分、或结构(IVp2)的部分。R3p和R4p不能两者分别，同时是结构(IIIp)和(IVp)的部分、同时是结构(IIIp)和(IVp1)的部分、或同时是结构(IIIp)和(IVp2)的部分。结构(A)的聚合物必须含有一个选自结构(IIIp)、(IVp)、(IVp1)或(IVp2)的接枝端基部分。这与溶剂的组合物被用于DSA工艺中。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119620453A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411261666.2
申请日：2024-09-10
Applicant: 默克专利股份有限公司
IPC: G02F1/133 , G02F1/1345 , G02F1/1343
Abstract: 用于吸收和/或散射可控量的穿过光的液晶设备(10)，其包括具有第一视口表面和第二视口表面的有源层(12)，其中第一视口表面与第一平面电极(14)接触，第二视口表面与第二平面电极(16)接触，其中有源层(12)包括至少两个侧表面，其中第一平面电极(14)包括用于接收用于控制有源层(12)的控制电压的第一供电区域(22)，第二平面电极(16)包括用于接收控制电压的第二供电区域(24)，其中将第一供电接触设备(26)被布置成电连接至第一供电区域(22)，并且第二供电接触设备(28)被布置成电连接至第二供电区域(24)，其中供电区域(22、24)各自与一个或多个侧表面相关联，其中供电接触设备(26、28)各自与一个或多个侧表面相关联，并且被布置成沿着它们各自相关联的侧面的至少一部分延伸，其中第一供电接触设备(26)和第二供电接触设备(28)与相邻的侧表面相关联。
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公开(公告)号：CN119563046A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202380052994.9
申请日：2023-07-07
Applicant: 默克专利股份有限公司
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , H01L21/02 , C23C16/448
Abstract: 本发明所公开及要求保护的主题涉及一种在含过渡金属二硫化物及/或二硒化物的二维膜的生长期间原位生成H2S及/或H2Se的方法。
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公开(公告)号：CN114080570B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202080049603.4
申请日：2020-07-06
Applicant: 默克专利股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于从晶圆/基板的边缘及至少一个近表面移除边缘保护层及残余硬掩模组分(例如，金属)的冲洗剂及其使用方法，其中该冲洗剂包括(i)乙酸及/或结构(A)的卤化乙酸：#imgabs0#其中R1及R2独立地为氢或卤素且R3为卤素，及(ii)具有结构(B)的化合物：#imgabs1#其中Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg及Rh中的每一者可独立地为氢、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的卤化烷基、经取代或未经取代的烷基羰基、卤素及羟基。
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