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公开(公告)号：CN115476267B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202211340233.7
申请日：2022-10-29
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种异氰酸酯预聚体、包含其的抛光垫、抛光设备及半导体器件的制造方法。该异氰酸酯预聚体由包括芳香族异氰酸酯、脂环族异氰酸酯、聚醚多元醇、小分子多元醇的原料反应得到，以NCO为封端基团，游离NCO的质量百分数为8.5％～11.0％，游离芳香族异氰酸酯的质量百分数为0.5％～4％，游离脂环族异氰酸酯的质量百分数为1.5％～15.0％；20℃～130℃内的蒸汽压为0.2～30Pa。本发明通过控制异氰酸酯预聚体的合成反应，控制预聚体中游离芳香族异氰酸酯、游离脂环族异氰酸酯的含量，发现由满足本发明异氰酸酯预聚体制备的抛光垫具有适当的切削速率、高的去除速率及高的去除速率稳定性。
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公开(公告)号：CN119822378A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411805586.9
申请日：2024-12-10
Applicant: 鼎泽(仙桃)新材料技术有限公司 , 鼎龙(仙桃)新材料有限公司 , 武汉鼎泽新材料技术有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: C01B33/141 , C09G1/02 , H01L21/306 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种硅溶胶的制备方法，包括以下步骤：以每间隔0.2～4小时增加10～15mL/min每次的速率向80～100℃的硅晶种溶液中滴加含量为4～8wt％的活性硅酸，制备CPS粒径图的半峰宽在30～80nm之间的宽粒径分布硅溶胶。本发明通过控制活性硅酸的滴加速度，控制硅溶胶的粒径分布宽度，控制CPS粒径图的半峰宽在30～80nm之间，可使该硅溶胶制备的抛光液在研磨氧化物时具有较高的研磨速率。
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公开(公告)号：CN119775113A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411958684.6
申请日：2024-12-27
Applicant: 湖北鼎龙芯盛科技有限公司 , 鼎龙(潜江)新材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: C07C43/303 , C07C41/54 , C07C45/64 , C07C49/675 , C07C67/24 , C07C67/29 , C07C69/76 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种UV吸收化合物，以及包含其的光致抗蚀剂组合物。本发明的光致抗蚀剂的UV吸收化合物可以显着减少甚至消除曝光辐射不希望的反射，特别是深紫外光，例如248nm。该类UV吸收化合物应用到光致抗蚀剂组合物中，不仅能够改善驻波效应，同时能够显著改善CDU，降低显影残留风险。该UV吸收化合物可以减少曝光过程中来自衬底的反射，使光致抗蚀剂具备更大的光刻工艺窗口、更好的DOF表现，从而以提供更高分辨率的图像。
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公开(公告)号：CN119772778A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411803941.9
申请日：2024-12-09
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 湖北鼎龙汇盛新材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种抛光垫，具有抛光表面的抛光层，其中所述抛光层包含包括以下成分的反应产物：异氰酸酯封端的预聚体与固化剂组合物，其中固化剂组合物包含多元胺和聚醚多元醇，所述聚醚多元醇在40℃下的运动粘度介于130cSt～1100cSt之间，所述聚醚多元醇在40℃下的运动粘度与25℃下的运动粘度的比值介于0.1～0.7之间；通过控制固化剂组合物中聚醚多元醇在一定温度下的运动粘度和不同温度下运动粘度的比值，制备出了研磨速率更高，缺陷更低，研磨速率不均一性更低的抛光垫。
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公开(公告)号：CN119751869A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510011499.4
申请日：2025-01-04
Applicant: 武汉柔显科技股份有限公司 , 柔显(仙桃)光电半导体材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: C08G73/10 , G02F1/1337 , C09K19/56 , C08J5/18 , C08L79/08
Abstract: 本发明公开了一种液晶取向剂，包括聚酰胺酸‑聚酰亚胺共聚物以及有机溶剂。所述聚酰胺酸‑聚酰亚胺共聚物中的嵌段聚合物由包含下述式(1)所示结构的二胺成分与包含选自下述式(3‑1)所示环丁烷四羧酸二酐和下述式(3‑2)所示1,3‑二甲基环丁烷四羧酸二酐中的至少1种二酐成分制备得到；#imgabs0#式(1)中，X1和X2各自独立的表示单键或碳原子数为1～6的烷基；Y1和Y2各自独立地表示‑NHCO‑、‑CONH‑、‑OCO‑、‑COO‑中的一种或多种；Ar为含氮杂环结构。本发明能够提供具有被赋予高机械强度和高透过率的横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜以及具有该液晶取向膜的液晶表示元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119751407A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411908274.0
申请日：2024-12-24
Applicant: 湖北鼎龙芯盛科技有限公司 , 鼎龙(潜江)新材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: C07D317/72 , C07C381/12 , G03F7/20 , G03F7/004
Abstract: 本发明公开了一种鎓盐类化合物，光致产酸剂、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法，涉及光刻胶领域。本发明的鎓盐类化合物具有特定的结构通式：#imgabs0#其中，R1、R2、R3、R4各自独立的为杂原子取代或未取代的C1～C20脂肪链状烃基或环烷烃基的一种或多种组合。该种结构通式的鎓盐类化合物在有机溶剂中能完全可溶并可均匀分散，用作抗蚀剂组合物时可保证组合物的均一性。本发明的鎓盐类化合物作为光产酸剂用于抗蚀剂组合物时，其大位阻基团能够有效地降低酸扩散长度，提升光刻图案的LWR性能，而且鎓盐类化合物中的缩醛和酯基结构使得其自身容易分解，能最大程度的降低对于环境的影响。
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公开(公告)号：CN119612522A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510163022.8
申请日：2025-02-14
Applicant: 武汉鼎泽新材料技术有限公司 , 鼎龙(仙桃)新材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: C01B33/141 , B82Y40/00 , C09G1/02 , H01L21/304 , C09K3/14
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件的制造方法、硅溶胶及其制备方法和研磨用组合物，涉及硅溶胶制备技术领域。该半导体器件的制造方法包括用研磨用组合物对半导体晶片表面进行研磨的工序，研磨用组合物包括硅溶胶，硅溶胶的制备方法包括：利用阳离子树脂制备活性硅酸溶液；将活性硅酸溶液的pH调节至中性，使活性硅酸溶液在高温下陈化；将陈化的硅酸pH调至碱性，得到硅胶基质晶种溶液；滴加活性硅酸溶液，得到一种宽粒径分布的硅溶胶。本申请提供的硅溶胶具有很宽的SiO2粒径分布，且是一种有序的正态分布，该硅溶胶应用在研磨用组合物中时，大粒径SiO2与小粒径SiO2互相配合，与被抛物之间摩擦系数大，能显著提高抛光铜时的抛光速率，起到很好的机械削磨效果。
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公开(公告)号：CN119463273A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411804315.1
申请日：2024-12-10
Applicant: 湖北鼎汇微电子材料有限公司 , 鼎龙(仙桃)新材料有限公司 , 湖北鼎龙控股股份有限公司
IPC: C08J9/16 , C08J9/14 , C08J9/228 , C08F212/08 , C08F220/18 , C08F212/36 , C08F222/14 , C08F230/08 , C08F216/12 , C08F218/18 , C08F2/26 , C08L75/08
Abstract: 本发明提供一种热膨胀微球及制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：将疏水性烯属单体、亲水性烯属单体、引发剂、发泡剂和交联剂充分混合均匀，得到所需油相；将乳化剂、助乳化剂、水相阻聚剂和去离子水混合后搅拌均匀得到水相；将所得油相和水相混合后经高速均质和搅拌得到乳液，梯度升温反应9h～24h即得到所述热膨胀微球。本发明中制备的微球粒径分布均匀，其有效成分接近100％，不含二氧化硅等无机杂质颗粒，有望应用于制备超低缺陷的CMP抛光垫。
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公开(公告)号：CN119330866A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310902212.8
申请日：2023-07-21
Applicant: 湖北鼎龙控股股份有限公司 , 湖北鼎龙芯盛科技有限公司
IPC: C07C381/12 , C07C309/12 , C07C303/32 , G03F7/004
Abstract: 本发明公开了涉及光敏高分子材料技术领域的一种光产酸剂、包含其的光致抗蚀剂组合物。本发明光产酸剂，其特征在于，具有式(1)所示通式结构：#imgabs0#式(1)中，M+表示有机阳离子，Q表示含至少一个降莰烷基的基团，X表示酯基或磺酸酯基，Y表示脂肪基团或芳香基团，Z表示含氟基团，m表示大于0的正整数。使用诸如ArF准分子激光的高能束作为光源,能够提供度分辨的精细特征的材料,包括低线宽粗糙度(LWR)和足够的灵敏度以提供晶圆产量。
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公开(公告)号：CN119087758A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411363663.X
申请日：2024-09-28
Applicant: 湖北鼎龙控股股份有限公司 , 柔显(仙桃)光电半导体材料有限公司
Abstract: 本申请提供了一种静电图像显影用调色剂、静电图像显影剂和调色剂盒，涉及调色剂技术领域。该静电图像显影用调色剂包括调色剂母粒和外部添加剂，调色剂母粒具有由核颗粒和覆盖核颗粒的壳层组成的核‑壳结构，壳层包括疏水化处理剂改性的无机颗粒和壳树脂，壳树脂为粘合剂树脂，粘合剂树脂为高分子量无定型粘合剂树脂和低分子量无定型粘合剂树脂以及结晶树脂的组合；外部添加剂包括疏水化处理剂改性的无机颗粒。本申请通过向调色剂中加入疏水化处理剂改性的无机颗粒，使得调色剂具有更强的电荷均匀性，以满足对更高的图像质量的需求；同时，提升了调色剂的保存性和流动性，从而避免了调色剂在高温和高湿度的环境下受到影响。
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