公开(公告)号：CN109643593B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201780053800.1

申请日：2017-09-06

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： 大卫·B·斯马瑟斯 ,  P·艾蒙

IPC: H01B12/00 ,  H01B1/02 ,  H01L39/12 ,  H01B13/00

Abstract: 在各种实施例中，超导线包含由Ta合金组成的扩散屏障，其抵抗内部扩散并为导线提供优越的机械强度。

公开(公告)号：CN111819639A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201980016559.4

申请日：2019-03-07

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： 大卫·B·斯马瑟斯 ,  P·艾蒙

IPC: H01B12/10 ,  H01B12/06 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24

Abstract: 在各种实施例中，超导线包含由Nb合金或Nb‑Ta合金组成的扩散屏障，其抵抗内部扩散并为导线提供优越的机械强度。

公开(公告)号：CN111819639B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201980016559.4

申请日：2019-03-07

Applicant: 万腾荣牛顿公司

Inventor： 大卫·B·斯马瑟斯 ,  P·艾蒙

IPC: H01B12/10 ,  H01B12/06 ,  H10N60/85

Abstract: 在各种实施例中，超导线包含由Nb合金或Nb‑Ta合金组成的扩散屏障，其抵抗内部扩散并为导线提供优越的机械强度。

公开(公告)号：CN101801565B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880023411.5

申请日：2008-05-02

Applicant: H·C·施塔克公司 ,  H·C·施塔克有限公司

Inventor： S·A·米勒 ,  P·库马尔 ,  吴荣祯 ,  孙树伟 ,  S·齐默尔曼 ,  O·施密特-帕克

IPC: B22F1/00 ,  C23C4/12 ,  C22C1/04 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/0014 ,  C22C1/045 ,  C23C4/134 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/0089 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C24/04 ,  H01J37/3426 ,  H01J2237/332

Abstract: 本发明涉及溅射靶，它具有小于44μm的细而均匀的等轴晶结构，没有由电子背散射衍射(“EBSD”)测得的择优织构取向并且在整个靶体上没有出现晶体尺寸带或织构带。本发明涉及溅射靶，其具有两面凸或平的晶体结构，没有由电子背散衍射(“EBSD”)测得的择优织构取向，在整个靶体上没有出现晶体尺寸带或织构带，并且靶具有分层结构，其包括期望的溅射材料层和在背衬板的界面处的至少一个附加层，附加层的热膨胀系数(CTE)值介于背衬板的CTE值和溅射材料层的CTE值之间。本发明还涉及薄膜及其使用溅射靶的用途及其其它应用，如涂层、太阳能器件、半导体器件等。本发明进一步涉及溅射靶的修复或翻新方法。

公开(公告)号：CN109643593A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053800.1

申请日：2017-09-06

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： 大卫·B·斯马瑟斯 ,  P·艾蒙

IPC: H01B12/00 ,  H01B1/02 ,  H01L39/12 ,  H01B13/00

Abstract: 在各种实施例中，超导线包含由Ta合金组成的扩散屏障，其抵抗内部扩散并为导线提供优越的机械强度。

公开(公告)号：CN101801565A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880023411.5

申请日：2008-05-02

Applicant: H·C·施塔克公司 ,  H·C·施塔克有限公司

Inventor： S·A·米勒 ,  P·库马尔 ,  吴荣祯 ,  孙树伟 ,  S·齐默尔曼 ,  O·施密特-帕克

IPC: B22F1/00 ,  C23C4/12 ,  C22C1/04 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/0014 ,  C22C1/045 ,  C23C4/134 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/0089 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C24/04 ,  H01J37/3426 ,  H01J2237/332

Abstract: 本发明涉及溅射靶，它具有小于44μm的细而均匀的等轴晶结构，没有由电子背散射衍射(“EBSD”)测得的择优织构取向并且在整个靶体上没有出现晶体尺寸带或织构带。本发明涉及溅射靶，其具有两面凸或平的晶体结构，没有由电子背散衍射(“EBSD”)测得的择优织构取向，在整个靶体上没有出现晶体尺寸带或织构带，并且靶具有分层结构，其包括期望的溅射材料层和在背衬板的界面处的至少一个附加层，附加层的热膨胀系数(CTE)值介于背衬板的CTE值和溅射材料层的CTE值之间。本发明还涉及薄膜及其使用溅射靶的用途及其它应用，如涂层、太阳能器件、半导体器件等。本发明进一步涉及溅射靶的修复或翻新方法。