公开(公告)号：CN107008905A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710222633.0

申请日：2017-04-07

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王清周 ,  李波 ,  李楠 ,  崔春翔 ,  殷福星 ,  郭英楠 ,  邓成龙

IPC: B22F3/11

CPC classification number: B22F3/114 ,  B22F3/1103 ,  B22F2003/1106

Abstract: 本发明TiNiCu形状记忆合金基阻尼复合材料的制备方法，涉及阻尼材料的制造，通过制备多孔TiNiCu形状记忆合金并在其孔洞中填充金属Mg制得TiNiCu形状记忆合金基阻尼复合材料即Mg/TiNiCu，克服了现有的多孔TiNiCu形状记忆合金制备方法中孔隙率和孔径及孔型均难以控制、现有的将Mg引入多孔合金中的技术不可用于Mg对多孔TiNiCu合金的填充、以及合金产品的阻尼性能及其他力学性能尚需提高的缺陷。

公开(公告)号：CN107008905B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201710222633.0

申请日：2017-04-07

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王清周 ,  李波 ,  李楠 ,  崔春翔 ,  殷福星 ,  郭英楠 ,  邓成龙

IPC: B22F3/11

Abstract: 本发明TiNiCu形状记忆合金基阻尼复合材料的制备方法，涉及阻尼材料的制造，通过制备多孔TiNiCu形状记忆合金并在其孔洞中填充金属Mg制得TiNiCu形状记忆合金基阻尼复合材料即Mg/TiNiCu，克服了现有的多孔TiNiCu形状记忆合金制备方法中孔隙率和孔径及孔型均难以控制、现有的将Mg引入多孔合金中的技术不可用于Mg对多孔TiNiCu合金的填充、以及合金产品的阻尼性能及其他力学性能尚需提高的缺陷。