公开(公告)号：CN115528118A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210960879.9

申请日：2022-08-11

Applicant: 天津大学

Inventor： 李玲霞 ,  张家嘉

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于电子信息材料技术领域，公开了一种高透光CuI/IHFO透明二极管及其制备方法，首先按照In2O3:HfO2＝10:1的摩尔比，采用Hf元素掺杂对氧化铟进行改性，并通过磁控溅射制备得到厚度为800‑1000nm的掺铪氧化铟透明导电薄膜；然后掺铪氧化铟透明导电薄膜表面制备P型CuI薄膜，再在CuI薄膜表面制备金属Au电极，得到CuI/IHFO透明二极管。本发明制备的透明二极管具有透光度高、低导通电压的特性，同时制备工艺简单，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN113860867A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111181427.2

申请日：2021-10-11

Applicant: 天津大学

Inventor： 李玲霞 ,  彭伟 ,  杨盼 ,  徐康力

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种高调谐率钛酸钡基介质陶瓷材料及其制备方法，采用SnO2掺杂对BaTiO3进行改性；以BaCO3、TiO2、SnO2为原料，目标合成物为BaTi1‑xSnxO3，其中x＝0.12～0.15；制备时先按照化学计量比配比原料，并与一定比例的锆球、去离子水进行球磨，再将球磨过后的浆料烘干、过筛以及预合成；所得粉料添加粘结剂进行造粒之后过筛，压制成生坯；生坯在空气气氛下烧结成瓷。通过该方法制备出的BaTiO3基介质陶瓷材料，介电常数εr为10929～23719，调谐率为64.3％～89.9％，介电损耗为0.00447～0.02444；具有较高的介电常数，较低的介电损耗及优异的调谐率，应用前景广泛。

公开(公告)号：CN110872189A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201911178555.4

申请日：2019-11-27

Applicant: 天津大学

Inventor： 李玲霞 ,  王顺 ,  罗伟嘉

IPC: C04B35/453 ,  H01P7/10 ,  C04B35/626 ,  C04B35/46

Abstract: 本发明公开了一种叠层结构微波介质谐振器，具有上中下三层结构，其中上下两层分别为ZnTi0.97Ge0.03Nb2O8，中间层为TiO2。先将ZnO、TiO2、GeO2、Nb2O5按化学计量式ZnTi0.97Ge0.03Nb2O8配料，与TiO2分别球磨，再经烘干、过筛，将混合粉料于950℃煅烧，合成ZnTi0.97Ge0.03Nb2O8粉料，再将粉料与TiO2分别造粒，称取1～4质量份数的TiO2作中间层，96～99质量份数ZnTi0.97Ge0.03Nb2O8粉料并平均分成两份作为上下层，顺序加入模具中压制成坯体，坯体于1120～1140℃烧结，制成叠层结构微波介质谐振器。本发明介电常数εr为36.9～43.0，品质因数Qf值为50199GHz～57040GHz，谐振频率温度系数τf为-54.40～+1.99ppm/℃。制备工艺简单，提升介电常数Qf值损失小，谐振频率温度系数灵活可调。

公开(公告)号：CN108531867B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201810267139.0

申请日：2018-03-28

Applicant: 天津大学

Inventor： 于仕辉 ,  刘荣闯 ,  赵乐 ,  李玲霞 ,  孙永涛

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/04 ,  C23C14/08

Abstract: 一种柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的制备方法，先将铜箔柔性衬底和Sb掺杂的SnO2即ATO靶材装入脉冲激光沉积系统的靶头上；再将脉冲激光沉积系统的本底真空度抽至3.0×10‑3Pa以下，沉积得到50～1000nm厚的ATO薄膜层；再将BTS和BZT靶材分别装入脉冲激光沉积系统的靶头上，沉积得到100～500nm的BTS、BZT和BTS薄膜层，然后取出制品，在BTS薄膜和底电极ATO层表面上制备金属电极，实现柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的整体制备。本发明介电调谐率≥50％@100kHz，介电损耗≤0.01，在柔性曲率半径为5.0mm时，性能变化率≤10％，器件性能优良，适合在柔性电子技术中应用。

公开(公告)号：CN108411251B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201810267130.X

申请日：2018-03-28

Applicant: 天津大学

Inventor： 于仕辉 ,  刘荣闯 ,  赵乐 ,  李玲霞

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明公开了一种BZN/BTS异质结构介电调谐薄膜的制备方法，先将BZN即Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7靶材和BTS即BaSn0.15Ti0.85O3靶材与Pt/Ti/SiO2/Si衬底放入磁控溅射样品台上；系统的本底真空抽至1.0×10‑7‑1.0×10‑3Pa，加热衬底至400～700℃，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为50～200W，沉积得到BTS薄膜层，薄膜厚度为150nm‑800nm，然后在100‑2000Pa的氧气中原位退火5‑60min；再将制品于系统中进行BZN薄膜层沉积，薄膜厚度为20nm‑200nm，制得BZN/BTS异质结构介电调谐薄膜。本发明介电损耗低，调谐率高，且器件稳定性好，为电子通讯设备的开发和应用提供了优良的电子元器件基础。

公开(公告)号：CN108191426B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201810043801.4

申请日：2018-01-17

Applicant: 天津大学

Inventor： 李玲霞 ,  杜明昆 ,  于仕辉 ,  孙正 ,  乔坚栗

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种中温烧结高Q值微波介质材料，目标合成物表达式为Li2TiO3‑x w.t.％MgF2，其中x＝2～8。先将Li2CO3和TiO2按化学计量式Li2TiO3进行配料，经球磨、烘干、过筛，于700～900℃预烧，再外加质量百分比含量为2～8％的MgF2，然后进行造粒，再压力制成生坯，生坯于1000℃‑1200℃烧结，制成高Q值Li2TiO3基微波介质材料。本发明实现了中温烧结(

公开(公告)号：CN110683843A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910975649.8

申请日：2019-10-14

Applicant: 天津大学

Inventor： 李玲霞 ,  杜明昆 ,  于仕辉 ,  战宇 ,  倪立争

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高品质滤波器基板用超高Q值微波介质陶瓷，合成物表达式为MgTi1+xO3，其中x＝0.02～0.06。先将MgO和TiO2按化学计量式进行配料，经球磨、烘干、过筛后于800～1000℃预烧，再经过筛、球磨、烘干、过筛后进行造粒、过筛，再压制成生坯，生坯于1250℃～1300℃烧结，保温2～8小时，制成超高Q值微波介质陶瓷。本发明具有超高的品质因数Qf值295,810～319,586GHz，同时兼具适中的的介电常数εr值16.89～17.61，且制备工艺简单，由其制作成的高品质滤波器基板具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN110372377A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910668848.4

申请日：2019-07-24

Applicant: 天津大学

Inventor： 李玲霞 ,  张凯 ,  王文波 ,  王梦龙

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种巨介电常数电介质材料的制备方法，首先按摩尔比BaCO3：ZrO2：TiO2＝5:1:4合成Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)，再按摩尔比Bi2O3、ZnO、Nb2O5＝3:2:4合成Bi2(Zn2/3Nb4/3)O7(BZN)，再将Ba(Zr0.2Ti0.8)O3与Bi2(Zn2/3Nb4/3)O7按摩尔比＝1:0.0001～0.0006配料，经过球磨、烘干、过筛、造粒、压制成坯体，坯体于1325℃～1425℃下进行烧结，制成巨介电常数电介质材料。本发明介电常数ε25℃～20449，介电损耗tanσ～0.0029。

公开(公告)号：CN110002864A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910134645.7

申请日：2019-02-23

Applicant: 天津大学

Inventor： 李玲霞 ,  张凯 ,  王文波 ,  卢特 ,  王瑞杰

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/63

Abstract: 开了一种高绝缘抗还原型电介质材料的制备方法，先按摩尔比Na2CO3：Bi2O3：TiO2＝1:1:4配料，合成Na0.5Bi0.5TiO3；再按质量比BaTiO3：Na0.5Bi0.5TiO3＝100:1配料，合成BT-1wt％NBT；再按质量比BT-1wt％NBT：MnCO3：CaZrO3：MgO：SiO2：Al2O3：Nb2O5＝100：1.0～2.0：1.0～2.0：1.0～2.0：0.5～1.5：0.25～1.0：0.1～0.5配料，经球磨、烘干、过筛、造粒后压制成坯体；坯体经过排胶，于还原气氛炉中1300℃烧结，制成钛酸钡基高绝缘抗还原型电介质材料。本发明介电常数ε25℃～2374，介电损耗tanσ～0.0113，绝缘电阻率ρν～2.01×1012Ω·cm。

公开(公告)号：CN108975905A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810925719.4

申请日：2018-08-16

Applicant: 天津大学

Inventor： 李玲霞 ,  杜明昆 ,  于仕辉 ,  许振鹏 ,  乔坚栗

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/495 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/462 ,  C04B35/01 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294

Abstract: 本发明公开了一种异种氧化物共掺钛酸锂基微波介质材料的制备方法，以Li2CO3、TiO2、MgO、Nb2O5、Ta2O5、Sb2O5为原料，目标合成物表达式为Li2Ti1-x(Mg1/3M2/3)xO3，其中M＝Nb、Ta或Sb，x＝0.15～0.95。先按化学计量式进行配料，经球磨、烘干、过筛后于800～1000℃预烧，再进行造粒，压制成生坯，生坯于1200～1280℃烧结，制成异种氧化物共掺的钛酸锂基微波介质材料。本发明在微波频段下，测得Qf值高达到107,346～142,168GHz，具有较低的介电损耗，同时兼具较高的εr值18.08～19.87，较小的τf值+17.32～+21.23ppm/℃，该陶瓷体系制备工艺简单，由其制作成的微波介质器件具有广泛的应用前景。