公开(公告)号：CN113410390A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110664979.2

申请日：2021-06-16

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 罗派峰 ,  陈玉霞 ,  孙甲 ,  张鹏鹏 ,  林一阳

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48 ,  H01L31/043 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明具体涉及一种钙钛矿/PERC两端叠层电池及其制备方法。该电池包括底电池PERC晶硅电池和顶电池钙钛矿太阳能电池，所述顶电池钙钛矿太阳能电池中NiOx空穴层由以下制备方法获得：取六水合硝酸镍溶于乙二醇中配制NiOx前驱体溶液，然后加入乙二胺，常温搅拌，得到深蓝色溶液，之后过滤得备用滤液，最后将所述滤液旋涂在底电池PERC晶硅电池表面的导电基底层上，并退火处理得到NiOx薄膜构成的NiOx空穴层。本发明制备的两端叠层电池中NiOx空穴层透光性、导电性更好，有效解决了目前叠层电池效率低的问题，且本发明制备方法简单、成本低，有利于实现大规模、商业化生产。

公开(公告)号：CN114583064A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210198608.4

申请日：2022-03-02

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 罗派峰 ,  孙甲 ,  古寅生

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种基于磁控溅射钙钛矿光吸收层的光伏器件的制备方法，所述方法包括以下步骤：(1)将FTO透明导电玻璃清洗、吹干；(2)在FTO透明导电玻璃上制备致密TiO2和SnO2电子传输层；(3)在所述电子传输层上采用磁控溅射技术制备钙钛矿光吸收层；(4)在所述的钙钛矿光吸收层上制备Spiro‑OMeTAD空穴传输层；(5)在所述空穴传输层上蒸镀Ag作为顶电极，即得到所述光伏器件。本发明制备的光伏器件光电转换效率达到13.09％，并表现出良好的长期稳定性。

公开(公告)号：CN114093862A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111403405.6

申请日：2021-11-24

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 罗派峰 ,  孙甲 ,  古寅生

IPC: H01L25/16 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明公开了一种半透明钙钛矿/柔性CIGS四端叠层太阳电池及其制备方法，包括由下而上设置的不锈钢柔性基底CIGS电池和基于非晶IZO透明电极的钙钛矿电池，所述不锈钢柔性基底CIGS电池包括由下至上依次层叠设置的电池不锈钢柔性衬体、Mo电极层、CIGS光吸收层、底电池缓冲层、底电池AZO层、底电池金属栅极，所述基于非晶IZO透明电极的钙钛矿电池包括玻璃衬体、FTO层、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、顶电池缓冲层、顶电池TCO层、顶电池金属栅极。该半透明钙钛矿/柔性CIGS四端叠层太阳电池可以提高太阳电池对光的利用率，进一步提高太阳电池的光电转换效率，降低太阳电池的成本。

公开(公告)号：CN113410390B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202110664979.2

申请日：2021-06-16

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 罗派峰 ,  陈玉霞 ,  孙甲 ,  张鹏鹏 ,  林一阳

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48 ,  H01L31/043 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明具体涉及一种钙钛矿/PERC两端叠层电池及其制备方法。该电池包括底电池PERC晶硅电池和顶电池钙钛矿太阳能电池，所述顶电池钙钛矿太阳能电池中NiOx空穴层由以下制备方法获得：取六水合硝酸镍溶于乙二醇中配制NiOx前驱体溶液，然后加入乙二胺，常温搅拌，得到深蓝色溶液，之后过滤得备用滤液，最后将所述滤液旋涂在底电池PERC晶硅电池表面的导电基底层上，并退火处理得到NiOx薄膜构成的NiOx空穴层。本发明制备的两端叠层电池中NiOx空穴层透光性、导电性更好，有效解决了目前叠层电池效率低的问题，且本发明制备方法简单、成本低，有利于实现大规模、商业化生产。

公开(公告)号：CN114134475A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111452165.9

申请日：2021-12-01

Applicant: 合肥工业大学 ,  芜湖映日科技股份有限公司

Inventor： 罗派峰 ,  孙甲 ,  张兵 ,  曾墩风 ,  王志强

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种高迁移率、高透光IGZO薄膜的制备方法及其应用，所述方法包括以下步骤：将高透玻璃依次放置在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗各20min，将超声清洗完成后的高透玻璃用氮气吹干，并放置于120℃恒温加热台上加热10min，蒸发玻璃表面的水分；将清洁后的高透玻璃放置到磁控溅射镀膜设备中，并将IGZO靶材固定在镀膜设备的阴极上，抽真空至9×10‑5Pa，通入氧气与氩气混合气体，打开溅射电源，预溅10min，打开挡板和自转电机，溅射沉积IGZO薄膜；将溅射完成的IGZO薄膜放置到管式炉中，退火过程中持续通过干燥空气，退火温度为150～250℃，退火时间为60min。本发明在降低薄膜制备成本的同时，能够有效提高薄膜的透过率和迁移率。