-
公开(公告)号：CN109091760A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810619528.5
申请日：2018-06-12
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
IPC: A61N5/02
Abstract: 本发明提供一种微波功率源、治疗设备及微波信号生成方法。其中，微波功率源包括依次连接的频率综合器、衰减器和射频放大模块，且频率综合器、衰减器还分别与微处理器控制单元连接。频率综合器根据微处理器控制单元发送的设定频率信号产生微波信号，该微波信号经衰减器进行功率衰减后，经射频放大模块进行信号放大后输出。从而通过微处理器控制单元发送设定频率信号，频率综合器可以产生设定频率的微波信号，相对于现有技术，实现了微波功率源发射的微波信号频率的精确可控。同时通过微处理器控制单元发送衰减量控制信号，衰减器可以对微波信号的功率进行精确调节，相对于现有技术，还实现了微波功率源发射的微波信号功率的精确可控。
-
公开(公告)号：CN108633122A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810394511.4
申请日：2018-04-27
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/68
Abstract: 本发明涉及一种微波加热控制方法、系统、装置和微波加热装置，其中方法包括：在微波源向被加热物体发射微波的过程中，获取所述被加热物体表面多个位点的温度信息；根据所述温度信息获取被加热物体表面的温度分布信息；根据所述温度分布信息对所述微波源发射微波的频率、相位和功率进行调整，直至被加热物体表面的温度分布差值小于第一阈值。上述微波加热控制方法，可根据被加热物体表面的温度分布控制对应的微波源的功率发射，提供针对性的微波场发射分布对被加热物体进行局部加热控制，使得被加热物体表面的温度分布均匀，提高微波加热的均匀性，从而提升微波加热效率和效果。
-
公开(公告)号：CN108964425A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810724211.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明涉及一种GaN芯片负压控制电路及设备。GaN芯片负压控制电路包括比较器电路，漏压关断电路，以及正极分别用于接入负压信号、连接GaN芯片的栅压管脚的二极管；比较器电路包括第一比较器和第二比较器；第一比较器的输出端连接二极管的负极，输入端连接TDD信号端；第二比较器的输入端接入负压信号；漏压关断电路的输入端连接第二比较器的输出端，输出端连接GaN芯片的漏极。基于上述结构，解决GaN芯片的供电时序控制问题，保证栅压开启到芯片工作电压后，漏压才开启，有效保证芯片的正常工作。在不关断漏压的情况下，通过比较器实现由高低电平信号控制栅压从负压到工作电压之间的切换，实现TDD模式下GaN芯片的正常工作。
-
公开(公告)号：CN109768789A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811619641.X
申请日：2018-12-28
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMT漏极控制电路及设备。GaN HEMT漏极控制电路，包括：漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管。漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源，第二输入端用于接入漏压控制信号，第一输出端连接第一N型MOS管的栅极，第二输出端连接第一N型MOS管的漏极，第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极；第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极。基于上述结构，漏压开关驱动电路接收漏压控制信号，输出驱动信号给第一N型MOS管的栅极，控制第一N型MOS管漏源两极的通断；利用第一N型MOS管来控制GaN HEMT漏压的开与关，能够实现漏压开关的高速切换，同时，可降低漏极电源开关的损耗以及电路成本，提高电路的可靠性和效率。
-
公开(公告)号：CN109451619A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811646329.X
申请日：2018-12-29
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
Abstract: 本发明公开了一种固态微波功率源及微波加热装置的控制方法，通过控制固态微波功率源输出微波信号的工作频率、相位和功率大小，从而可控制微波加热装置腔体内的微波能量分布均匀，提高微波加热系统的均匀性。其中的固态微波功率源包括：微波信号发生电路，用于产生频率与第一调整信号对应的微波信号；调整电路，与所述微波信号发生器连接，用于根据第二调整信号调整所述微波信号发生器生成的微波信号的功率和相位，以使得所述微波信号的微波能量在所述微波加热装置的腔体内均匀分布；控制电路，与所述微波信号发生电路连接，用于输出所述第一调整信号；与所述调整电路连接，用于输出所述第二调整信号。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109217825A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811234556.1
申请日：2018-10-23
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率放大设备及其信号处理方法、装置，所述设备包括分别连接功率放大器、下变频器、上变频器的控制器，以及连接在下变频器和上变频器之间的峰均比调节装置；峰均比调节装置将检测中频信号得到的均值信息和峰值信息传输给控制器；控制器根据均值信息和峰值信息，得到峰均比信息，并将处理目标峰均比信息和峰均比信息得到的均值调节信息、传输给峰均比调节装置；峰均比调节装置根据均值调节信息处理中频信号，得到中间信号，并将中间信号传输给上变频器，以使上变频器向功率放大器输出处理中间信号得到的射频信号。采用本发明实施例能够实现对信号峰均比的优化，有效提高了功放线性，在满足通信应用的同时降低了功放设备的成本。
-
公开(公告)号：CN107707208A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711016389.9
申请日：2017-10-25
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
CPC classification number: H03F3/245 , H03F3/19 , H04B1/04 , H04B2001/0408
Abstract: 本发明提出了一种通信系统设备的信号功率控制方法及电路，能够对通信系统设备的输出功率进行控制，对通信系统设备经功率放大后的输出射频信号耦合取样后，从转换得到的直流电压序列中提取最大的电压包络值，对采样保持处理后的所述最大的电压包络值与预设参考电压进行积分比较，得到控制电压，根据所述控制电压对通信系统设备的输出电压进行衰减控制，即在对通信系统设备的输出射频信号进行功率放大前，执行衰减控制操作，使得功率放大后的输出射频信号其输出功率也得到控制，不至于输出功率过大而烧毁功功率放大器件等设备，从而造成整个通信系统的瘫痪。
-
公开(公告)号：CN110275061A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910590453.7
申请日：2019-07-02
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
IPC: G01R21/133 , H04B17/10 , H04B17/20 , G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种功率检测器及其控制方法、装置、设备、介质，用以在实现对多个待检测支路进行功率检测的同时，降低成本。所述功率检测器的控制方法，包括：在确定接收到用于指示进行功率检测的指示信号时，检测用于切换与所述功率检测模块相连接的待检测支路的中断信号；根据检测到的中断信号的次数，生成控制信号，所述控制信号用于指示所述选择模块在多条待检测支路中选择一条与所述功率检测模连接；将所述控制信号发送至所述选择模块。
-
公开(公告)号：CN109462388A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811230522.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03K17/6871 , H03K2217/0081
Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMT控制电路，包括栅压切换电路，以及连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端；栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路；第一开关电路的第一端接入TDD切换信号，第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端；第二开关电路的第二端连接栅极电压源，第二开关电路的第三端连接栅压端；第三开关电路的第二端连接负电压电源端，第三开关电路的第三端连接栅压端。TDD切换信号可控制第一开关电路的通断，第一开关电路的通断可控制第二开关电路和第三开关电路的通断，能够切换栅压端的电压；基于上述结构，可利用TDD上下行切换信号，控制GaN HEMT的栅极电压，实现GaN HEMT的快速关断与开启。
-
公开(公告)号：CN108155451A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711308468.7
申请日：2017-12-11
Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 , 京信通信系统(广州)有限公司 , 京信通信技术(广州)有限公司 , 天津京信通信系统有限公司
Abstract: 本申请实施例涉及通信领域，尤其涉及一种功率合成分配装置，包括：第一腔壳和第二腔壳密封形成的腔体、位于所述腔体内的中心导体和N个分支导体；N为大于1的正整数；所述第一腔壳设置有第一端口，所述第一端口用于输出合成信号或输入待分解信号；所述第二腔壳设置有N个第二端口，所述N个第二端口的每个第二端口用于输入待合成信号或输出分解信号；所述中心导体，包括第一接头和第一底座，所述第一接头位于所述第一端口内，所述第一底座固定于所述第二腔壳的内壁上；所述分支导体，包括第二接头和第二底座，所述第二接头位于所述第二端口内，所述第二底座固定于所述第一腔壳的内壁上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
83
records
(took 0.084 seconds)
