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公开(公告)号：CN114093723B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202111486813.2
申请日：2021-12-08
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: H01H69/02 , H01H85/041 , H01H85/08 , H01H85/00
Abstract: 一种全固态熔断器的制备方法，属于电子元器件领域。所述制备方法为：将熔丝的两端分别焊接在熔断器基片单元两端的电极层上，形成基片单元产品；将基片单元产品装入陶瓷管内，灌封抑弧材料，将抑弧材料进行固化；将固化好的产品两端与盖帽焊接；将焊接好的产品进行引脚电极电镀。优化了现有丝状熔断器熔丝悬空设计，提高丝状熔断器的抗振动冲击能力。解决了现有技术中FF型膜状熔断器与TT型丝状熔断器工艺不兼容、难以实现额定电压大于250V的FF型熔断器问题。适用于将丝状熔断器实现不同额定电压的FF型膜状熔断器和TT型丝状熔断器技术领域。
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公开(公告)号：CN113985323B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202111267263.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
Abstract: 一种丝状熔断器熔体熔断特性快速测试方法及其测试装置，属于电子元器件领域。所述测试方法包括熔断器熔体熔断时间的测试方法、熔断器成品熔断时间的测试方法、熔体冷态阻值的测试方法、熔断器成品冷态阻值的测试方法，测试时，使用弹簧将熔丝拉紧进行测试，包括熔断器以空气或壳体作为介质层、以抑弧材料或壳体作为介质层时的适度过载测试和高过载测试。所述测试装置包括测试装置底座、挂架、左夹具、左夹具固定座、右夹具、微分滑台、齿轮滑台。解决了现有丝状熔断器只能进行半成品或成品测试，耗时、耗材、事后把关、生产效率低、成本高的问题。广泛应用于熔断器熔体材料的测试领域。
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公开(公告)号：CN117238733A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311242748.8
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: H01H85/38 , H01H85/041 , H01H85/175 , H01H85/08 , H01H85/12 , H01H85/06 , H01H85/143 , H01H69/02
Abstract: 一种小型表贴式通孔叠层熔断器及其制作方法，属于熔断器领域。包括熔断器本体、端头电极，端头电极位于熔断器本体的两端。所述熔断器本体包括叠层玻璃陶瓷衬底基片、熔丝、叠层陶瓷抑弧层膜片、抑弧材料填充孔、抑弧层、叠层陶瓷外层膜片；叠层玻璃陶瓷衬底基片的两面制作有金属膜熔丝，熔丝外侧为开有贯通的抑弧材料填充孔的叠层陶瓷抑弧层膜片，抑弧材料填充孔的面积覆盖熔丝熔断部分，在抑弧材料填充孔中填满抑弧材料形成抑弧层，外侧为叠层陶瓷外层膜片。采用LTCC叠层共烧技术及通孔技术制作而成。解决了现有同尺寸小型表贴式熔断器额定电压低、额定电流小、额定分断能力差及熔断后绝缘电阻低的问题。广泛应用于小型表贴式熔断器中。
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公开(公告)号：CN116660630A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310535941.4
申请日：2023-05-12
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
Abstract: 本发明涉及微带滤波器单谐振器技术领域，尤其是指微带滤波器单谐振器介电常数倒推方法，包括以下步骤；S1，多频点单枝节谐振器设计：首先使用HFSS、Sonnet等仿真软件按照厂家给定的介电常数进行单枝节谐振器的仿真；S2，多频点单枝节谐振器同片基片生产：将S1中仿真设计好的不同频点的单枝节谐振器全部放在同一片基片中进行生产；S3，单枝节谐振器的谐振频率测量和尺寸测量；S4，数据处理。本发明通过该方法得到的基片介电常数，由于其测定的方法是在生产薄膜产品的工艺线上正常进行的，其准确度非常高；并且由于使用了不同谐振频率的微带滤波器单谐振器，其介电常数与谐振频率相关联。
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公开(公告)号：CN113400544B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110617259.0
申请日：2021-06-03
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
Abstract: 一种陶瓷复合聚四氟乙烯型微波复合介质基板制备方法，具体步骤包括：通过硅烷偶联剂对填料进行表面改性；将表面改性后的瓷粉与聚四氟乙烯乳液混合，形成混合乳液；使用喷雾干燥装置将混合乳液采用高温、高速旋转破乳方法进行高温破乳；使用真空传输装置将混合乳液传输到高速旋转雾化装置，乳液经高速旋转雾化装置快速甩出，在离心力以及高温作用下，实现快速破乳，形成复合面团；将复合面团采用压制装置压制成型；将压制成型的膜片进行热压烧结，得到微波复合介质基板。解决了现有陶瓷填充聚四氟乙烯复合材料混合均匀性、不适用连续批量生产性的问题。广泛应用于航天电子装备、通讯、北斗系统、无线局域网和物联网等现代微波电子通讯领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112390644B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202011317438.4
申请日：2020-11-23
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C04B35/465 , C04B35/626 , B02C17/10 , B02C23/06
Abstract: 一种改善MCT陶瓷一次球磨混料质量的方法，具体工艺步骤包括：制备柠檬酸溶剂、加入柠檬酸溶剂、加入钛酸锶改性剂、加入分散剂和防沉剂、加入氧化镁原材料、加入二氧化钛原材料、加入二氧化钛粉料、加入碳酸钙原材料、加入一定量的纯水、调节球磨机进入球磨工作状态、按设计的时间进行一次球磨混料等工艺步骤。解决了现有MCT微波介质陶瓷粉制备过程中，混料工艺条件不易控制，导致原材料不能否充分溶于溶剂中，球磨机内产生浆料结块，浆料分散效果极差，浆料结块严重，球磨均匀性差，降低生产合格率，增加不合格产品，降低整个批次产品的品质等连贯性问题。该方法广泛应用于MCT基微波介质陶瓷的制作工艺中。
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公开(公告)号：CN112097525B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202010938879.X
申请日：2020-09-09
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
Abstract: 一种真空气氛管式炉冷却装置及冷却方法，包括气体传输装置、水冷装置、真空密封装置、接口装置、锁紧装置；气体传输装置的一端与水冷装置固定密封连接；水冷装置与真空密封装置全平面密封连接，水冷装置的进水端口及出水端口分别与外置水源的相应端口通过大小头相连接，在水路中形成漩涡；真空密封装置的另一端通过接口装置与真空气氛管式炉的端口密封连接；锁紧装置将水冷装置、真空密封装置、接口装置与真空气氛管式炉的端口密封连接；气体传输装置、水冷装置、真空密封装置、接口装置与真空气氛管式炉为同心连接。解决了现有气氛管式炉在烧结产品过程中炉管两端的散热及真空密封性问题，广泛应用于真空气氛管式炉的冷却系统中。
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公开(公告)号：CN112851333B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110344158.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 一种高Q值微波介质陶瓷材料，分子式为Li2Zn3Ti4(1‑x)(Mg1/3A2/3)4xO12，其中：A为Nb或Ta，0.1≤x≤0.3。以Li2Zn3Ti4O12微波介质陶瓷材料为主体，以同价位离子取代固溶为出发点，采用离子半径相近且价位相同的(Mg1/3A2/3)4+离子置换所述Li2Zn3Ti4O12中的Ti4+离子，形成所述Li2Zn3Ti4(1‑x)(Mg1/3A2/3)4xO12微波介质陶瓷材料，品质因数为109304GHz～139380GHz。解决了现有微波介质陶瓷材料谐振频率温度系数较大、温度稳定性较差、品质因数低、工作高频选择性低的问题。应用于陶瓷电容器、微波基板等领域。
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公开(公告)号：CN114686171A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210552281.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C09K3/14
Abstract: 一种可悬浮金刚石研磨液及其制备方法，属于电子材料领域。所述研磨液包括：金刚砂、去离子水、氧化铝球、分散剂、水溶性胶体。金刚砂为润湿改性金刚砂，去离子水的PH值为8～9，氧化铝球为轻质氧化铝球，分散剂为复合分散剂，包括D‑134分散剂、D‑540分散剂、PAA分散剂，按一定的比例混合，金刚砂与复合分散剂按一定的比例混合，水溶性胶体中PVB的含量为20％～25％，所述金刚砂与水溶性胶体按一定的比例混合。所述制备方法包括金刚砂的表面润湿改性、金刚砂的球磨混合、复合分散剂的使用、水溶性胶体的添加等工艺模块。解决了现有技术中金刚砂在溶剂中的分散效果差的问题。广泛应用于微波陶瓷的研磨工艺中。
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公开(公告)号：CN114380579A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210075120.2
申请日：2022-01-22
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64
Abstract: 一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其生瓷带制备方法，属于电子元器件领域。所述低温共烧陶瓷材料，包括：15％～50％的钾硼硅玻璃、15％～55％的氧化铝、40％～80％的氧化硅及3％～20％的氧化硼；所述钾硼硅玻璃的主原料包括氧化钾、氧化硼、氧化硅；所述氧化硅的粒径D50为1.5μm～2.5μm，所述氧化铝的粒径D50为3μm～6μm。所述生瓷带制备方法包括配料、一次球磨、高温熔炼、二次球磨、流延配料、丝网印刷、低温烧结等步骤。解决了现有LTCC材料在15GHZ高频下相对介电常数高，介电损耗高的问题。广泛应用于5G高频产品中。
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