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公开(公告)号：CN107407003A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580076628.2
申请日：2015-08-14
Applicant: LG矽得荣株式会社
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B30/04 , H01L21/02002 , C30B15/00
Abstract: 一种实施方式提供一种用于生长单晶硅锭的方法，所述方法可包括：在坩埚中制备硅熔液；将种晶探入硅熔液；旋转种晶和坩埚，同时向坩埚施加水平磁场；以及提拉从硅熔液中生长的硅锭，其中，生长的硅锭和硅熔液之间的界面形成于离水平面向下1-5毫米的位置，且生长后的硅锭的体积微缺陷(BMD)尺寸为55-65纳米。
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公开(公告)号：CN105849886A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070870.4
申请日：2014-06-25
Applicant: LG矽得荣株式会社
CPC classification number: G06T7/0006 , G06T7/60 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01L22/12
Abstract: 一种根据实施例的用于分析晶圆的形状的方法包括以下步骤：采集显示有待分析的晶圆的剖面图像；在该剖面图像中发现该晶圆的表面轮廓的坐标行；并且使用该坐标行获得包括关于该晶圆的形状的信息在内的形状分析数据。
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公开(公告)号：CN105453221A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044338.5
申请日：2014-08-08
Applicant: LG矽得荣株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/14 , C23C16/45504 , C23C16/45563 , C30B25/165
Abstract: 一个实施例包括：反应室；基座，该基座位于反应室中并且使晶片坐置其中；和气体流动控制器，该气体流动控制器用于控制引入到反应室中的气体流动，其中，该气体流动控制器包括注射盖，该注射盖具有用于分开气体流动的多个气体出口，并且包括多个挡板，每个挡板具有与多个气体出口分别相对应的多个通孔，而且，多个挡板彼此隔开，并且挡板的每个布置成与所述多个气体出口的相应气体出口相邻。
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公开(公告)号：CN105247113A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480029280.7
申请日：2014-01-23
Applicant: LG矽得荣株式会社
CPC classification number: C30B29/06 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B11/02 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B15/203 , C30B30/04 , H01L29/30
Abstract: 在一个实施方式中的用于半导体的单晶硅锭和晶片包括过渡区域，在包含在间隙主导的无缺陷区域中的晶体缺陷中，所述过渡区域主要含有尺寸为10-30纳米的晶体缺陷。对所述锭和所述晶片进行至少一次热处理之前的初始氧浓度与进行至少一次热处理之后的最终氧浓度之间的差别为0.5ppma或更少。
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公开(公告)号：CN105190833A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201380073084.5
申请日：2013-09-17
Applicant: LG矽得荣株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4407 , B01D53/76 , C23C16/4412
Abstract: 披露一种入口和一种具有所述入口的反应系统。所述入口包括：本体，该本体内设有传输管道，该传输管道允许流体经过其中流动；至少一个第一喷嘴，该至少一个第一喷嘴连接到本体的侧表面的一个区域，并且适于将清洁溶液喷入传输管道；以及设置成在传输管道中以与传输管道的内壁间隔开的挡片，其中从第一喷嘴喷出的清洁溶液被阻挡而不被引入传输管道的位于挡片内部的一个区域。
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公开(公告)号：CN105051267A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201380074978.6
申请日：2013-12-19
Applicant: LG矽得荣株式会社
CPC classification number: C30B35/002 , C30B15/16 , C30B17/00 , C30B29/20 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
Abstract: 公开了一种单晶体生长装置，该装置包括：腔室；坩锅，其设置在腔室中并且构造成容置熔化物，该熔化物是用于单晶体生长的原材料；加热器，其设置在坩锅和腔室的侧壁之间并且加热该坩锅；以及坩锅屏，其设置在坩锅的上端上，并且坩锅屏具有弯曲构件，该弯曲构件将从坩锅中的熔化物产生的辐射热量反射到坩锅的内壁。
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公开(公告)号：CN102124576B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN200980130443.X
申请日：2009-07-29
Applicant: LG矽得荣株式会社
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/3081 , H01L33/007 , H01L33/382
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件、发光器件及其制造方法。该半导体器件包括：基底、排列在基底上的多个棒、位于在棒之间的基底上的金属层以及位于棒上和棒之间的半导体层。由于金属层的存在，提高了半导体器件的电性能和光性能。
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公开(公告)号：CN104334774A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380026674.2
申请日：2013-04-02
Applicant: LG矽得荣株式会社
Abstract: 本发明的单晶硅晶锭和晶片具有形成于其中的过渡区，该过渡区主要具有在空位主导非缺陷区和间隙主导非缺陷区中的至少一个区中包括的晶体缺陷之中的大小为10-30nm的晶体缺陷。
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公开(公告)号：CN102246277B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980149201.5
申请日：2009-11-03
Applicant: LG矽得荣株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67086
Abstract: 本发明公开了对物体(如半导体晶圆或基板)进行湿处理(如清洁和蚀刻)的设备和方法、以及其中所用的流体扩散板和筒体。该设备包括：处理槽，其中容纳并处理待被处理的物体；多个物体支撑杆，可旋转地安装在处理槽中且具有形成在其表面中的多个沟槽，以支撑物体，使得物体在垂直于处理槽底面的方向上直立；以及连接至物体支撑杆的旋转装置，用来通过旋转物体支撑杆而在周向方向上旋转物体。用于将处理流体喷射至物体的处理流体喷射孔和用于将处理流体供应至处理流体喷射孔的处理流体通道形成在物体支撑杆中。因此，消除了处理槽中的盲区，并且处理流体可均匀且平稳地流出，这提高了处理效率和处理均匀性。
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公开(公告)号：CN103765573A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280041809.8
申请日：2012-08-22
Applicant: LG矽得荣株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC classification number: F17D3/00 , C23C16/4583 , C23C16/4586 , H05B6/806 , Y10T137/0318
Abstract: 衬托器包括第一本体和第二本体，所述第一本体包括多个第一孔，所述第二本体包括多个第二孔。根据一个布置，所述第二本体与所述第一本体隔开以形成间隙，所述间隙允许气体从所述第二孔流至所述第一孔。根据该布置或另一布置，所述第一本体可移除地或可转动地连接至所述第二本体，或可移除地且可转动地连接至所述第二本体。所述第二本体的第一量或在第一方向中的转动使得至少一个第一孔与至少一个第二孔对齐。并且，所述第二本体的第二量或在第二方向中的转动引起在这些孔之间错位。
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