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公开(公告)号：CN111952448A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010806609.3
申请日：2020-08-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用，包括相变层和阻隔层，所述相变层和阻隔层交替堆垛，所述相变层至少两层，阻隔层至少一层，所述相变层为锗锑碲薄膜，阻隔层为IV族碲化物薄膜。该薄膜中锗锑碲材料与IV族碲化物材料交替堆垛，其中锗锑碲作为相变层实现存储，IV族碲化物材料作为阻隔层不参与相变，既能够抑制相变层材料的结构弛豫，又能够阻碍其元素偏析现象，将会极大地提升相变存储器件的稳定性和精准性，并有效延长器件的使用寿命，同时锗锑碲材料具有较高的结晶温度，能够保证高温环境下的稳定服役。该薄膜可应用于相变存储器及类脑计算芯片领域。
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公开(公告)号：CN108588672B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201810369025.7
申请日：2018-04-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化的方法，包括：选择能够进行微观结构表征、电学性能测试或原位性能测试的衬底制备锗锑碲非晶薄膜；对制备锗锑碲非晶薄膜的衬底进行电镜样品预处理；在电镜样品中寻找锗锑碲非晶薄膜表面干净平整的区域；通过在电镜中设置辐照范围、辐照电压、辐照强度和辐照时间；在电镜中实时观测电镜样品辐照区域的晶化过程，得到满足晶化范围、晶体结构、晶粒大小的锗锑碲晶体，即完成电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化过程。本发明方法为相变材料晶化机理及相应结构性能的研究提供了实验依据。
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公开(公告)号：CN110554060A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910773032.8
申请日：2019-08-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，包括：选择表面沉积在透射电镜标准尺寸的碳支持膜铜载网上的锗锑碲晶体薄膜；采用等离子清洗技术对制备的薄膜样品进行表面预处理，选择氩气进行等离子清洗；将预处理电镜样品置于透射电镜中，并在薄膜样品中寻找表面平整、无碳沉积、无污染、无破损且厚度均匀的区域作为辐照区域；设置辐照参数，诱导材料发生逐步非晶化；原位观察并记录材料的非晶化结构演变过程，分析材料的非晶化相变机理。本发明通过电子束辐照实现了锗锑碲材料的逐步非晶化，并借助透射电镜直接观察分析材料非晶化的结构演变过程，为探索锗锑碲材料的非晶化机理提供了便捷的研究方法和可靠的实验依据。
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公开(公告)号：CN106872888B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710132580.3
申请日：2017-03-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/327
Abstract: 本发明公开了一种直流叠加高压脉冲的真空灭弧室老炼装置及方法，包括直流电源、脉冲电源、真空灭弧室、隔直耦合电容及隔离电感，直流电源的一端及脉冲电源的一端与真空灭弧室触头的一端相连接，直流电源的另一端与隔离电感的一端相连接，脉冲电源的另一端与隔直耦合电容的一端相连接，隔直耦合电容的另一端及隔离电感的另一端均与真空灭弧室触头的另一端相连接，该装置及方法技术难度小，成本低，同时单次老炼能量能够实现精确调节。
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公开(公告)号：CN107481889B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710592502.1
申请日：2017-07-19
Applicant: 西安交通大学 , 国网宁夏电力公司电力科学研究院 , 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 , 国家电网公司
IPC: H01H33/664 , H01H33/666
Abstract: 本发明公开了一种自操动的真空灭弧室及其自操动方法，该真空灭弧室包括静导电杆、动导电杆、静触头、动触头、灭弧室壳体、屏蔽罩、柔性导体、主回路接线端、分闸驱动线圈、电磁斥力盘、合闸驱动线圈和双稳保持结构；本发明还公开了该真空灭弧室的自操动方法；本发明将传统的灭弧室和操动机构完成了一体化，极大地减少了操动机构的零件数量和体积，减小了机构的操作功，同时也省去了传统灭弧室的波纹管结构，该发明具有结构简单、紧凑、寿命长、低成本等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108588672A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810369025.7
申请日：2018-04-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化的方法，包括：选择能够进行微观结构表征、电学性能测试或原位性能测试的衬底制备锗锑碲非晶薄膜；对制备锗锑碲非晶薄膜的衬底进行电镜样品预处理；在电镜样品中寻找锗锑碲非晶薄膜表面干净平整的区域；通过在电镜中设置辐照范围、辐照电压、辐照强度和辐照时间；在电镜中实时观测电镜样品辐照区域的晶化过程，得到满足晶化范围、晶体结构、晶粒大小的锗锑碲晶体，即完成电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化过程。本发明方法为相变材料晶化机理及相应结构性能的研究提供了实验依据。
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公开(公告)号：CN102937691B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210441963.6
申请日：2012-11-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明为一种矿用电缆局部放电在线监测与定位智能装置，主要由高频电流传感器、脉冲发射天线、高频信号电缆以及监测主机组成。现场检测时，在两个采区变电所电缆接地线端分别放置一套装置。脉冲发射天线以高频信号电缆与监测主机相连，监测主机控制脉冲发射电路产生幅值与频率均可变的高频脉冲信号，并通过脉冲发射天线耦合到被测电缆中。高频电流传感器通过高频电缆与监测主机相连，该线圈检测并接收电缆中的高频脉冲信号，监测主机可在检测到高频脉冲信号时立即发射一个高频脉冲，所发射脉冲的幅值和频率与接收脉冲相同。通过上述过程，完成电缆两端的精确对时，达到准确定位电缆局部放电点的目的。
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公开(公告)号：CN102778640B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210241417.8
申请日：2012-07-13
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及一种便携式多功能地电波信号发生器，包括绝缘外壳，以及设置在所述绝缘外壳中的下述部件：脉冲信号发生器，用于产生脉冲地电波信号；第一地电波发射电极，与所述脉冲信号发生器连接，用于将所述脉冲信号发生器产生的脉冲地电波信号发射出去；延时元件，与所述脉冲信号发生器相连接，用于将所述脉冲信号发生器产生的脉冲地电波信号进行延时；第二地电波发射电极，与所述延时元件相连接，用于将所述经延时后的脉冲地电波信号发射出去；电源单元，用于为所述脉冲信号发生器供电。本发明实施具有多功能、容易携带及安全性高等优点。
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公开(公告)号：CN104134601A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410353714.0
申请日：2014-07-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高压快速响应测量的阴极射线管以及测量方法，包括壳体以及外部电路，壳体内为真空状态，壳体内的一侧设有电子枪、壳体内的另一侧设有接收导电板，电子枪与接收导电板之间依次设有栅极、聚焦系统、加速系统及偏转极板，电子枪发射的电子经栅极形成电子束，再经聚焦系统、加速系统以及偏转极板后轰击到接收导电板上；外部电路包括第一电阻、第二电阻、第一电源及第二电源，电子枪的正极与第二电源的正极相连接，接收导电板的两端分别与第一电阻的一端及第二电阻的一端相连接，第一电阻的另一端及第二电阻的另一端均与第一电源的正极相连接，第一电源的负极及第二电源的负极均接地。本发明可以测量高压高频信号的电压。
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公开(公告)号：CN101829363A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010186144.2
申请日：2010-05-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: A61L27/42
Abstract: 本发明公开了一种新型的骨组织工程仿生支架材料的制备方法，属于骨组织工程领域。以天然植物组织为模板，经碳化、真空/压力浸渍无机溶胶、空气中氧化去除模板和高温烧结等工艺过程，即制得结构仿生的生物陶瓷或生物活性玻璃多孔支架材料。本发明制成的多孔支架材料，具有良好的理化和生物学性质，尤其是具有植物组织的以管状孔为鲜明特征的多孔结构，与松质骨非常类似，其孔隙率为70～95％，孔径大小范围为10～280μm；其独特的多孔结构可加快支架内外物质交换速度，利于支架材料降解速度的控制，促进新生骨生长。本发明的骨组织工程仿生支架材料的制备方法在骨科、牙科和颌面外科等硬组织的再生修复领域应用前景广阔。
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