一种制备密度可调的TiO2纳米棒阵列的方法

    公开(公告)号:CN101973582B

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201010295406.9

    申请日:2010-09-27

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开的制备密度可调的TiO2纳米棒阵列的方法,TiO2纳米棒的直径为10nm~200nm,TiO2纳米棒的密度分布范围为9.4×102cm-2~8.3×1013m-2,制备步骤如下:1)将钛酸四正丁酯、水和乙酰丙酮溶于乙醇中,然后加入聚乙烯吡咯烷酮,形成二氧化钛前驱体溶胶;2)将二氧化钛前驱体溶胶速度旋涂到基板上,在基板上形成二氧化钛前躯体纳米点阵列溶胶膜,然后板放入马弗炉中进行热处理;3)将热处理后的基板放入钛酸盐与酸的混合水溶液中进行水热处理,得到在基板上的TiO2纳米棒阵列。本发明制备方法简单,制得的TiO2纳米棒阵列根据其不同的直径和密度,可实现对其表面润湿性、光催化性能以及光电性能的可控。

    纳米Ag颗粒-(Ba0.65,Sr0.35)TiO3渗流型复合陶瓷薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN102061460B

    公开(公告)日:2012-03-07

    申请号:CN201110024306.7

    申请日:2011-01-22

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开一种纳米Ag颗粒-(Ba0.65,Sr0.35)TiO3渗流型复合陶瓷薄膜及其制备方法。该陶瓷薄膜以多晶钙钛矿相陶瓷为基质并在该基质中分散有纳米银颗粒,多晶钙钛矿相陶瓷为(Ba0.65,Sr0.35)TiO3,纳米银与(Ba0.65,Sr0.35)TiO3的摩尔比为0.2~0.6:1。本发明首先分别以钛酸四正丁酯、乙酸钡与硝酸锶为Ti源、Ba源与Sr源,硝酸银为Ag源,浓硝酸为稳定剂,乙酰丙酮与柠檬酸为络合剂,乙二醇甲醚与乙二醇为混合溶剂,制备稳定的Ag-(Ba,Sr)-Ti溶胶前躯体,后用浸渍提拉法在ITO/玻璃基板上进行涂覆,再经空气气氛热处理制备复合陶瓷薄膜。本发明成功解决(Ba0.65,Sr0.35)TiO3-Ag溶胶前驱体的制备和在空气气氛下热处理获得纳米银颗粒并保证其在薄膜中的分散性的难题,实现了渗流效应,薄膜的介电常数较纯钛酸锶钡薄膜高出1~4倍。

    一种制备密度可调的TiO2纳米棒阵列的方法

    公开(公告)号:CN101973582A

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN201010295406.9

    申请日:2010-09-27

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开的制备密度可调的TiO2纳米棒阵列的方法,TiO2纳米棒的直径为10nm~200nm,TiO2纳米棒的密度分布范围为9.4×102cm-2~8.3×1013m-2,制备步骤如下:1)将钛酸四正丁酯、水和乙酰丙酮溶于乙醇中,然后加入聚乙烯吡咯烷酮,形成二氧化钛前驱体溶胶;2)将二氧化钛前驱体溶胶速度旋涂到基板上,在基板上形成二氧化钛前躯体纳米点阵列溶胶膜,然后板放入马弗炉中进行热处理;3)将热处理后的基板放入钛酸盐与酸的混合水溶液中进行水热处理,得到在基板上的TiO2纳米棒阵列。本发明制备方法简单,制得的TiO2纳米棒阵列根据其不同的直径和密度,可实现对其表面润湿性、光催化性能以及光电性能的可控。

    一种二氧化钛纳米晶的低温表面修饰方法

    公开(公告)号:CN101890343A

    公开(公告)日:2010-11-24

    申请号:CN201010214926.2

    申请日:2010-06-29

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开的二氧化钛纳米晶的低温表面修饰方法,其步骤如下:将钛酸丁酯与乙醇混合,形成溶液A;将乙醇与去离子水混合,形成溶液B;搅拌状态下,将溶液A逐滴滴入溶液B中,得到TiO2溶胶,干燥,研磨,得到TiO2纳米晶;将TiO2纳米晶加入到去离子水中,超声波分散成均匀的分散液,加入过量的烷基胺化物表面修饰剂,然后在室温下静置陈化,干燥,研磨,即可。本发明制备方法简单,通过烷基胺化物的表面修饰使锐钛矿二氧化钛纳米晶表面的化学结构发生变化,诱导产生大量的晶格缺陷,同时发生非晶化,同未加表面修饰的二氧化钛纳米晶相比,具有更为优异的光催化性能。

    一种介电常数可调的锌掺杂PST薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN100572317C

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200610154725.1

    申请日:2006-11-21

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种介电常数可调的锌掺杂PST薄膜的制备方法。制备方法:以碳酸锶、醋酸铅、醋酸锌和钛酸丁酯为原料,冰醋酸和乙二醇甲醚为溶剂配制溶胶先驱体。以浸渍提拉法或者旋涂匀胶法在ITO导电玻璃、硅片和普通玻璃基板上涂覆溶胶,采用快速升温、控制冷却的热处理工艺进行烧结。本发明工艺简单,成本低;低的烧结温度(600℃)可以在耐高温性能较差的基板上制备薄膜,与半导体集成工艺兼容。而且可以防止铅的挥发,既节约了原料又防止污染。用sol-gel快速升温、控制冷却的热处理工艺制备得到锌掺杂PST薄膜有高的介电可调性(掺杂PST薄膜的可调性相对未掺杂的PST薄膜提高了1倍多),相对较低的介电损耗。

    一种在低温下快速制备V2O5干凝胶的纳米晶体的方法

    公开(公告)号:CN101602523A

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200910099503.8

    申请日:2009-06-11

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开的在低温下快速制备V2O5干凝胶的纳米晶体的方法,采用的是溶胶-凝胶法,步骤如下:1)将钒的化合物溶解于有机溶剂中,搅拌至均匀得到A液;2)用酸液将去离子水的pH值调节至1以下,然后和有机溶剂混合,搅拌至均匀,得到B液;3)将A液逐滴滴入B液中,持续搅拌直到形成稳定的溶胶,再将溶胶于常温下陈化至少6小时,然后在50~70℃下干燥,即可。本发明方法具有设备简单,无需特殊装置和高温条件,重复性好,低温下结晶效果好,制备周期短等优点。

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