公开(公告)号：CN1127423A

公开(公告)日：1996-07-24

申请号：CN95118410.5

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN1108434A

公开(公告)日：1995-09-13

申请号：CN94113869.0

申请日：1994-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  寺本聪

IPC: H01L29/772 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明的薄膜晶体管具有形成在绝缘表面上的至少包括源、漏和沟道区的有源层。在沟道与源区之间及在沟道与漏区之间都形成高阻区。至少在高阻区设置能俘获正电荷的膜，以便在高阻区诱发N型导电。所以可改善N沟型TFT对热电子的可靠性。

公开(公告)号：CN1901205B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200610101628.6

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 半导体装置及其制造方法。本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。

公开(公告)号：CN100539191C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510092720.6

申请日：1994-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  寺本聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的一种半导体设备，包括：在衬底上具有绝缘表面的硅岛，所述硅岛包括源极、漏极和位于所述源极和所述漏极之间的沟道；毗邻所述沟道配置的栅电极，所述栅电极和所述沟道之间有栅绝缘层；掺杂区，其掺杂浓度比所述源极和配置在所述沟道和所述源极和所述漏极中的至少一个之间的所述漏极的浓度要低；和在所述栅电极和所述硅岛上具有氮化硅的层，所述层具有与栅绝缘层接触的部分，其中所述栅绝缘层具有在所述沟道上的第一部分和在所述掺杂区上的第二部分，且所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度要薄。

公开(公告)号：CN100468777C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510083584.4

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种便携式信息终端，该信息终端包括一个半导体装置，所述半导体装置具有多个N沟道和P沟道薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：在一个基板的绝缘表面上形成的结晶性硅膜作为有源层，所述有源层具有至少一个沟道区和源、漏区，并包括一种卤族元素；其中所述结晶性硅膜包括结晶性硅晶粒，每个结晶性硅晶粒的晶体结构在预定方向上延伸，并且晶界在所述预定预定方向上扩展；其中所述预定方向与所述薄膜晶体管的沟道区中的载流子移动方向成一预定角度，且其中所述薄膜晶体管的S值小于等于100mV/dec。

公开(公告)号：CN100419950C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200510005697.2

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中岛节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN1333297C

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200410069449.X

申请日：1995-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行 ,  寺本聪

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  H01L29/78636

Abstract: 本发明提供了一种便携式电子装置，包括：一个薄的或柔性的衬底；形成在所述衬底上的薄膜晶体管，一个树脂层位于所述衬底和所述薄膜晶体管之间，所述薄膜晶体管具有含硅的沟道形成区；和覆盖所述薄膜晶体管的含树脂的层。

公开(公告)号：CN1312746C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN01103030.5

申请日：1995-07-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 寺本聪 ,  大谷久 ,  宫永昭治 ,  滨谷敏次 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67236

Abstract: 一种激光处理设备提供一加热腔，一用于激光照射的腔以及一机器人臂，其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450-750℃，接着用激光照射该硅膜，结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。

公开(公告)号：CN1881618A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610099650.1

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种便携式信息终端，该信息终端包括一个半导体装置，所述半导体装置具有多个N沟道和P沟道薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：在一个基板的绝缘表面上形成的结晶性硅膜作为有源层，所述有源层具有至少一个沟道区和源、漏区，并包括一种卤族元素；其中所述结晶性硅膜包括结晶性硅晶粒，每个结晶性硅晶粒的晶体结构在预定方向上延伸，并且晶界在所述预定预定方向上扩展；其中所述预定方向与所述薄膜晶体管的沟道区中的载流子移动方向成一预定角度，且其中所述薄膜晶体管的S值小于等于100mV/dec。

公开(公告)号：CN1881594A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610099676.6

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。