一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器

    公开(公告)号:CN114487547A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210043323.3

    申请日:2022-01-14

    Abstract: 本发明提供一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器,包括设置在基底的上表面的玻璃层;设置在玻璃层上表面的硅衬底;以及设置在硅衬底上表面的半导体薄膜;硅衬底的中心区域开设有上小下大的圆台状的第一通孔;玻璃层的中心区域开设有沙漏状的第二通孔;第二通孔的顶部与第一通孔的底部连通,且连通后形成的空腔内安装有压电晶体;压电晶体的第一端与基底的上表面粘接;压电晶体的第二端通过第一氧化硅层与半导体薄膜的下表面耦合;压电晶体的外壁与第一通孔的内壁和第二通孔的内壁均存在间隙;将硅衬底反置到半导体薄膜和玻璃层之间,提高了电场传感器的测量精度和灵敏度。

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