-
公开(公告)号：CN110752300B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201810818776.2
申请日：2018-07-24
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括p型ZnO纳米颗粒以及掺杂在所述p型ZnO纳米颗粒中的Li元素和N元素。该复合材料中，Li‑N掺杂后形成的受主能级为1.25eV，受主能级的提高可以减小ZnO的禁带宽度从本征的3.4eV到Li‑N/ZnO的2.2eV，这样增加空穴的注入性能，该复合材料传输空穴时空穴载流子浓度得到了较大幅度的提高，电阻率大幅度减小，比单独掺入一种受主的具有更大优势，具有更好的空穴传输性能。
-
公开(公告)号：CN109935669B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201711349149.0
申请日：2017-12-15
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种还原氧化石墨烯的制备方法和空穴注入材料及其制备方法。该还原氧化石墨烯的制备方法，包括如下步骤：提供氧化石墨烯；将所述氧化石墨烯溶于富氢水中，在碱性环境下进行第一加热处理，得还原氧化石墨烯溶液。该制备方法获得的还原氧化石墨烯使载流子浓度增加，电阻率减小，有利于器件空穴输运，因此可得到更理想、空穴迁移率更高的还原氧化石墨烯材料。
-
公开(公告)号：CN111224001B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201811426477.0
申请日：2018-11-27
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层材料包括第一p型硫化锌纳米颗粒和磷烯，所述第一p型硫化锌纳米颗粒表层掺杂有P元素，所述磷烯结合在所述第一p型硫化锌纳米颗粒表面。本发明所述第一p型硫化锌纳米颗粒表层掺杂有P元素，P元素替代S元素形成P型掺杂，能够达到提高空穴位点的效果，从而提高空穴浓度，进而提高空穴传输性能。
-
公开(公告)号：CN110534656B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201810518684.2
申请日：2018-05-25
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种纳米材料及制备方法与量子点发光二极管，所述纳米材料包括：MoO3纳米颗粒和MoS2纳米片，所述MoS2纳米片结合在所述MoO3纳米颗粒表面。MoS2纳米片与MoO3纳米颗粒协同作用，可提高空穴传输效率，从而提高了量子点发光二极管发光效率和性能。
-
公开(公告)号：CN109994625B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201711475669.6
申请日：2017-12-29
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 吴龙佳
Abstract: 本发明提供了一种复合薄膜，所述复合薄膜包括依次层叠结合的N层薄膜，且所述N层薄膜为含有掺杂金属离子的纳米氧化镍薄膜，且从第一层薄膜到第N层薄膜，所述掺杂金属离子的掺杂浓度逐层升高，其中，所述掺杂金属离子的离子半径为Ni2+半径的85％‑115％；所述掺杂金属离子的氧化物的价带能级深于氧化镍的价带能级；所述N的取值范围满足：3≤N≤9。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109980106B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201711464310.9
申请日：2017-12-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 吴龙佳
Abstract: 本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种电子传输材料及其制备方法和QLED器件。所述电子传输材料为金属离子掺杂的氧化锌，所述金属离子为同一种金属元素的不同价态的两种或三种金属离子，且所述金属离子的最低价态为正二价。该电子传输材料利用高低价态同一种金属元素的离子共掺杂氧化锌材料，该掺杂氧化锌材料通过低价态金属离子掺杂的存在，显著提升了高价态金属离子在氧化锌材料中的掺杂极限，明显改善了氧化锌电子传输层的导电性能，最终提高了器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN109698282B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710984227.8
申请日：2017-10-20
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种氧化物薄膜的制备方法与QLED器件，方法包括步骤：提供电解液，所述电解液包括溶剂、溶解在所述溶剂中的电解质、溶解在所述溶剂中的氧化物前驱体盐以及醇胺类化合物；采用所述电解液，用电化学方法沉积制备得到所述氧化物薄膜。本发明采用电化学方法沉积得到均匀、致密、连续的氧化物薄膜，为QLED器件提供电荷传输能力强、稳定性高且不易脱落的电子传输层和/或空穴传输层，从而提高QLED器件性能和使用寿命。另外，本发明制备方法工艺简单，无需高温退火，不需要隔绝水氧，可在常温常压条件下操作。
-
公开(公告)号：CN109994630B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201711480139.0
申请日：2017-12-29
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 吴龙佳
Abstract: 本发明提供了一种复合薄膜，所述复合薄膜包括依次层叠结合的N层薄膜，所述N层薄膜均为纳米氧化镍薄膜，且从第一层薄膜到第N层薄膜，所述纳米氧化镍薄膜中的纳米氧化镍的粒径逐层增加，其中，所述N的取值范围满足：3≤N≤9。
-
公开(公告)号：CN109935662B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201711352369.9
申请日：2017-12-15
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种电子传输材料及其制备方法、发光二极管。该电子传输材料的制备方法包括如下步骤：提供锌盐和氧化石墨烯，将所述锌盐与所述氧化石墨烯溶于碱液中，进行加热处理，得还原氧化石墨烯/ZnO复合材料溶液；提供多巴胺溶液和氧化剂，将所述多巴胺溶液和所述氧化剂加入所述还原氧化石墨烯/ZnO复合材料溶液中，进行交联反应，得到所述电子传输材料。该制备方法得到的电子传输材料与电极基底之间结合的更加牢固，材料界面之间形成欧姆接触，将电阻降到最小，提高了开路电压，有利于提高电子传输效率，增强器件的发光效率与显示性能。
-
公开(公告)号：CN119730679A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311281958.8
申请日：2023-09-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种复合材料及其制备方法、发光器件、显示装置，涉及显示技术领域。复合材料包括：无机粒子、硅氧烷化合物和含氟化合物；其中，硅氧烷化合物连接无机粒子和含氟化合物，含氟化合物中含有氟代链烃基。本申请提供的复合材料稳定性好，溶解度和自由度高，有利于复合材料有益性能的发挥。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
228
records
(took 0.05 seconds)
