公开(公告)号：CN114503179B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201980100665.0

申请日：2019-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 郡司辽佑 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  冈部达 ,  井上彬 ,  仲田芳浩 ,  神村浩治

IPC: G09F9/30

Abstract: 与电连接到穿过显示区域(DA)的上述拐角部(SP)的数据信号线(DL)的引绕配线(C1、C2)相关的接触孔(CH1、CH2)的数量比与电连接到穿过上述显示区域(DA)的上述中央部(CP)的数据信号线(DL)的引绕配线(C1、C2)相关的接触孔(CH1、CH2)的数量多。

公开(公告)号：CN116250031A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202080105624.3

申请日：2020-09-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  冈崎庄治 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  谷山博己

IPC: G09F9/30

Abstract: 多个引绕布线(L)的至少一个具备：显示侧布线部(18nd)，其设置在无机绝缘膜(11、13、15、17)的显示区域侧的一方的缘部上，通过与布线层相同的材料形成在同一层；端子侧布线部(18nt)，其设置在无机绝缘膜(11、13、15、17)的端子部侧的另一方的缘部上，通过与布线层相同的材料形成在同一层；中间布线部(C)，其经由形成在平坦化膜(19a)的第一接触孔(Ha)及第二接触孔(Hb)与显示侧布线部(18nd)及端子侧布线部(18nt)分别电连接。

公开(公告)号：CN112513959B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201880096085.4

申请日：2018-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  谷山博己 ,  郡司辽佑 ,  有贺广司 ,  仲田芳浩 ,  谷村康治 ,  小原义博 ,  神村浩治 ,  井上彬

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09F9/33

Abstract: 氧化物半导体层包含岛状的半导体线(SS)，所述岛状的半导体线(SS)在俯视下位于多个驱动器与显示区域之间，与多个控制线以及多个电源线正交，所述半导体线在栅极绝缘膜(16)的开口中与所述多个控制线(Gn、En)接触，并且在第一无机绝缘膜(18)的开口中与所述多个电源线(In、Qn)接触，且包括多个变细部(WT)。

公开(公告)号：CN114846907A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201980103309.4

申请日：2019-12-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  市川伸治 ,  郡司辽佑 ,  斋田信介 ,  金子诚二

IPC: H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32

Abstract: 显示装置具备:第一连接布线(21b)，经由形成于第二平坦化膜(22)的第一通孔(Hi)与第一电极(31)电连接；以及第二连接布线(18i)，经由形成于第一平坦化膜(19)的第二通孔(Hj)与第一连接布线(21b)电连接，在第二层间绝缘膜(20a)贯通第二层间绝缘膜(20a)，与第一连接布线(21b)重叠，并且以俯视时周缘包围第一通孔(Hi)及第二通孔(Hj)的方式设置有接触开口部(M)。

公开(公告)号：CN111149434B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201780095332.4

申请日：2017-09-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  郡司辽佑 ,  谷山博己 ,  斋田信介 ,  神村浩治 ,  仲田芳浩 ,  井上彬

IPC: H05B33/26 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10

Abstract: 由同一材料形成于与反射电极(21)相同的层的配线(21a)设置在TFT层(20)上，该反射电极(21)包括由低电阻金属材料构成的多个金属导电层、设置在最下层的最下金属导电层的下表面侧的氧化物的下侧透明导电层、设置在具有光反射性的最上层的最上金属导电层的上表面侧的氧化物的上侧透明导电层、及设置在多个金属导电层之间的氧化物的中间透明导电层。

公开(公告)号：CN114503179A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201980100665.0

申请日：2019-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 郡司辽佑 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  冈部达 ,  井上彬 ,  仲田芳浩 ,  神村浩治

IPC: G09F9/30

Abstract: 与电连接到穿过显示区域(DA)的上述拐角部(SP)的数据信号线(DL)的引绕配线(C1、C2)相关的接触孔(CH1、CH2)的数量比与电连接到穿过上述显示区域(DA)的上述中央部(CP)的数据信号线(DL)的引绕配线(C1、C2)相关的接触孔(CH1、CH2)的数量多。

公开(公告)号：CN110476200B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201880022560.3

申请日：2018-03-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  家根田刚士

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

Abstract: 在下层部和上层部分别包括半导体膜的TFT基板中，实现了下层部的导电体和上层部的导电体之间的稳定连接。在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜(6)、与第一半导体膜相比靠上层的第一导电体(M1)、与第一导电体相比靠上层的层间绝缘膜(18)、与层间绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜(26)、与第二半导体膜相比靠上层的第二导电体(J2)、与第二导电体相比靠上层的有机绝缘膜(32)、与有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体(M3)、穿过有机绝缘膜的通孔(H32)以及层间绝缘膜的通孔(H18)，且底面到达第一导电体的接触孔(CH)，有机绝缘膜的通孔的开口表面大于层间绝缘膜的通孔的开口表面，第二导电体(J2)以及第三导电体(M3)以与接触孔的开口表面(K)重叠的方式形成，第三导电体(M3)与第一导电体(M1)以及第二导电体(J2)接触。

公开(公告)号：CN113508641A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201980092674.X

申请日：2019-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  郡司辽佑 ,  市川伸治 ,  神村浩治 ,  井上彬 ,  仲田芳浩

IPC: H05B33/02 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/22 ,  G09F9/00

Abstract: 在显示区域的内部规定为岛状，在形成有贯通孔(H)的非显示区域中，分离壁沿着贯通孔(H)的周缘设置为框状，分离壁(Ea)第一树脂层(19ga)，通过与平坦化膜(19a)相同材料来设置于相同层；以及第一金属层(21c)，设置于第一树脂层(19ga)上且通过与第一电极相同材料来形成于相同层，第一金属层(21c)具备第一突出部(Ja)，上述第一突出部以从第一树脂层(19ga)向显示区域侧檐状地突出地方式设置。

公开(公告)号：CN111108541B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201780095192.0

申请日：2017-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  谷山博己 ,  郡司辽佑 ,  市川伸治 ,  仲田芳浩 ,  神村浩治 ,  井上彬

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00

Abstract: 在柔性有机EL显示装置(50)中，以填埋狭缝(BH)的方式形成有第一树脂层(13)，该第一树脂层具有：与第一导电构件(9A)重叠的开口(TH1)；与第二导电构件9C重叠的开口(TH4)；以及与第三导电构件(9B)重叠的开口(TH2)及开口(TH3)。

公开(公告)号：CN113474830A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201980092859.0

申请日：2019-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  家根田刚士

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

Abstract: 在TFT层形成工序中，首先，在通过进行半导体层形成工序来形成树脂基板(10)上的半导体层之后，通过进行栅极绝缘膜形成工序来形成栅极绝缘膜(13)以覆盖半导体层，接着，通过进行第一金属膜成膜工序、第一光刻工序以及第一蚀刻工序来形成第一金属层(14a)，进而，通过进行第二金属膜成膜工序、第二光刻工序以及第二蚀刻工序来形成第二金属层(15a)，从而形成层叠有第一金属层(14a)及第二金属层(15a)的栅极层(16a)。