-
公开(公告)号：CN103937495A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410191168.5
申请日：2014-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种磷化镉纳米簇的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种可用于大量制备磷化镉纳米簇的合成方法。本发明利用磷化物与无机酸反应制取PH3气体，并同时将气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3P2纳米簇化合物。本发明制备的纳米簇有着十分尖锐对称的吸收及荧光峰，表现出较好的发光性质，具有良好的单分散性，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成，反应过程不使用有机磷。
-
公开(公告)号：CN103936056A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410191167.0
申请日：2014-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种磷化镉量子点的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。本发明利用磷化物与无机酸反应制取PH3气体，并同时将制备的PH3气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3P2纳米簇化合物，再以制得的Cd3P2簇为反应前体，以有机胺为配体，以十八烯为溶济，在不同温度下以热注入的方法反应5～10分钟即可得到不同尺寸的Cd3P2量子点。本发明制备的量子点有着较好的近红外发光性质，有良好的单分散性，尺寸可调，光谱可调范围宽，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成。
-
公开(公告)号：CN103074068A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310020597.1
申请日：2013-01-18
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/88
Abstract: 本发明的一种核壳结构的热敏量子点材料及其制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。量子点结构中核为Cu掺杂的InP量子点，在核的基础上包覆II-VI族半导体ZnS隔离层，用来隔绝内外两层材料，再包覆另一种发绿光的II-VI族半导体CdSe纳米晶壳层，最外层仍然包覆ZnS保护层，以使CdSe层更为稳定，最终形成结构为Cu@InP/ZnS/CdSe/ZnS量子点。本发明的量子点对温度高度敏感，具体表现为不同温度条件下，该材料会发不同颜色的光：在常温下发绿光，在200摄氏度时发红光，在中间温度时发不同程度的黄光，该量子点性质稳定，尺寸均一，分散性好，壳层包覆后粒子呈完美球形。
-
公开(公告)号：CN103074058A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310020598.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种低毒性热敏量子点材料及其制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明以Cu掺杂的InP量子点为核，先包覆半导体材料ZnS隔离层，隔绝内外两层材料，再包覆半导体材料InP纳米晶壳层，最外层包覆ZnS保护层，最终形成结构为Cu@InP/ZnS/CdSe/ZnS的量子点。本发明的量子点对温度高度敏感，在常温下发绿光，在200℃时发红光，在中间温度时发不同程度的黄光，该量子点性质稳定，尺寸均一，分散性好，壳层包覆后粒子呈完美球形；由于本发明制备的是一种非镉的半导体材料，具有低毒性的优点，符合绿色化学的合成理念，对环境友好，应用性强。
-
公开(公告)号：CN115786703A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211627574.2
申请日：2022-12-16
Applicant: 吉林大学
IPC: C22B3/26 , C22B3/36 , C22B3/38 , C22B59/00 , C22B47/00 , C22B3/28 , C22B15/00 , C22B23/00 , C22B11/00 , C22B13/00 , C22B17/00 , C22B3/34 , C22B34/34 , C22B60/02 , C22B43/00 , C22B19/20
Abstract: 一种将无机多孔材料负载离子液体技术用于萃取矿物离子的方法，包括：1：将无机多孔材料加入到有机溶剂中；2：将离子液体加到有机溶剂中；3：将所获得含有无机多孔材料的有机溶剂和含有离子液体的有机溶剂混合后，去除有机溶剂；4：将含有离子液体的无机多孔材料，加入含有被萃取矿物质的水溶液中进行萃取；5：将含有被萃取金属的萃取无机多孔材料从所述水溶液中分离，得到含有被萃取矿物离子的萃取无机多孔材料；6：由所述含有被萃取矿物离子的萃取无机多孔材料，分离出被萃取矿物离子。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115433568A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211299067.0
申请日：2022-10-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/06 , C09K11/62 , C09K11/75 , C07C209/00 , C07C211/04
Abstract: 本发明的一种铟基零维有机无机杂化金属卤化物的制备方法属于半导体材料技术领域，以溴化甲胺、溴化铟为原料或以溴化甲胺、溴化铟、溴化锑为原料，在装有玛瑙珠的球磨罐中，使用球磨机以420rpm/min的速度机械球磨4h；得到(CH3NH3)4[InBr6]Br或Sb3+掺杂(CH3NH3)4[InBr6]Br。在紫外光激发下，Sb3+掺杂(CH3NH3)4[InBr6]Br表现出橙黄色发光性质，量子效率达到67％。本发明具有合成方法简单，可以大量合成等优点。
-
公开(公告)号：CN114032098B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202111414697.3
申请日：2021-11-25
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明的一种提高零维钙钛矿材料荧光效率的方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域。制备步骤包括将氯化铯、氯化铅混合球磨，加入0.2mol氯化亚锡、盐酸、次磷酸、柠檬酸钠，管式炉升温至150℃～230℃维持600min，缓慢降温至室温，抽滤，将晶体浸入至聚乙烯醇的乙醇溶液中，取出后烘干燥过夜，冷却处理等。本发明首次提出了一种通过掺杂显著改善荧光效率的方法，制备的产是一种具有高量子效率和环境稳定性的零维发光材料，在光电方面的应用提供了良好的前景。
-
公开(公告)号：CN113969170B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202111412667.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明的一种锡掺杂三元金属卤化物材料及制备方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域。制备步骤包括在搅拌下，向ZnCl2的DMF溶液中，缓慢滴加KCl的DMF溶液，向体系中加入氯化亚锡、浓盐酸、次磷酸、柠檬酸钠，密封加热至120～200℃，维持5小时，10～36h程序降温至室温退火后洗涤，将晶体浸入至聚乙烯醇的乙醇溶液中，取出后烘干，冷却处理1h～3h后，得到高纯度、荧光效率增强的K2ZnCl4：Sn晶体。本发明通过水热法成功生长出了K2ZnCl4：Sn的晶体，在302nm激发下显示出强橙红光发射，且具有无铅无铬、高量子效率和环境稳定性的优点。
-
公开(公告)号：CN114032091A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111414716.2
申请日：2021-11-25
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/61
Abstract: 本发明的一种超高荧光效率的三元金属卤化物及制备方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域。所述的三元金属卤化物，是Sn掺杂的Rb4CdCl6钙钛矿荧光材料，制备步骤包括将氯化铷、无水氯化镉、氯化锡混合后研磨均匀，转移至水热反应釜中，加入浓盐酸、次磷酸、柠檬酸钠，将反应釜密封后放入管式炉，升温至110℃～200℃并维持600min，之后以5℃/h缓慢降温至室温，抽滤、洗涤、烘干、冷却处理等。本发明通过简单水热法，合成了具有接近100％的超高荧光量子产率的Rb4CdCl6粉末状微晶，紫外灯激发下，材料发射出耀眼的蓝绿色荧光，且材料具有超高的稳定性。
-
公开(公告)号：CN112521939B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202011413260.3
申请日：2020-12-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种非铅金属卤化物高效闪烁体材料及制备方法属于半导体材料制备技术领域。所述的高效闪烁体材料，是金属卤化物Rb2AgBr3，制备方法包括：先将溴化铷、溴化混合研磨，200℃煅烧30h后加入三正丁基膦在球磨机中进行球磨，用254nm紫外灯进行监测，产物亮度不再增加时停止球磨，向球磨罐中加入去离子水，继续研磨，将得到的产物用乙醇清洗后，在80～210℃真空条件下热处理3小时，得到纯相Rb2AgBr3固体粉末样品。本发明合成了高纯度的具有X射线荧光性质的Rb2AgBr3固体材料，该材料有望用于医用X射线成像，且该材料对于环境和人体的伤害远远低于卤化铅钙钛矿闪烁体材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
106
records
(took 0.018 seconds)
