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公开(公告)号：CN115417373B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210924292.2
申请日：2022-08-02
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01B3/00
Abstract: 本发明为一种非晶/晶态复合镁基储氢材料的制备方法，公开了一种非晶/晶态复合镁基储氢合金及其制备方法，属于复合结构材料制备与储氢材料制备领域。本发明通过机械球磨工艺，将晶态储氢合金与镁基非晶合金进行混合球磨，成功实现了晶态合金与非晶基体的冶金结合。本方法所得的晶态/非晶态复合结构样品中，晶态相能够均匀分散嵌入于镁基非晶基体表面。相较纯非晶，所得复合结构样品的吸脱氢动力学有大幅有益提升。本方法操作简单，工艺便捷，在一定程度上解决了镁基储氢合金低温下的吸脱氢性能难题，可为新型镁基储氢合金的制备提供重要参考。
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公开(公告)号：CN116240494A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310275635.1
申请日：2023-03-20
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种镁基三元储氢合金薄膜及其制备方法，所述镁基三元储氢合金薄膜结构包括依次设置的镁基三元合金层、催化层和表面覆盖层。所述的镁基三元合金层的元素组成为Mg80Ni16V4。所述的催化层和表面覆盖层元素组成为Pd。该方法通过物理气相沉积(PVD)将Mg‑Ni合金靶和高纯度V靶材共溅射、共沉积至预处理的基底上，中间穿插高纯度Pd靶材的溅射沉积以获得Pd催化层，最后在薄膜表面再次沉积一层Pd作为表面覆盖层对薄膜进行封装。本发明制备得到的镁基三元储氢合金薄膜具有制备工艺简单、成本低、可在低温下可逆吸放氢的优点。其吸放氢可在150℃下进行，150℃下活化后可逆储氢容量可达3.8wt.％以上。相较于纯镁储氢(纯镁最低放氢温度约为400℃)，其放氢温度显著降低。
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公开(公告)号：CN114672714B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210189221.2
申请日：2022-02-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高熵储氢合金，分子通式为TiaZrbCrcMndFexCoyVz；其中16≤a≤28at％，5≤b≤16at％，5≤c≤23at％，16≤d≤30at％，5≤x≤12at％，5≤y≤16at％，5≤z≤8at％，且a+b+c+d+x+y+z＝100。本发明还公开了上述高熵储氢合金的制备方法。本发明的高熵储氢合金具有高储氢量、室温下可逆吸放氢同时滞后较小；同时不含稀土元素，成本低并且使用前无需活化，在新能源等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115744817A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211418469.8
申请日：2022-11-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01B3/02
Abstract: 本发明属于制氢技术领域，具体公开了一种宽温醇解快速制氢方法。本发明采用易制备的硅基合金和甲醇作为反应原料，利用两者的直接接触发生醇解反应，可快速获取大量氢气。所述硅基合金包括Li‑Si合金、Na‑Si合金和Mg‑Si合金；所述固液反应制氢过程在‑40～50℃的宽温条件下进行。本发明具有操作简单、供氢温度范围宽、产氢量高、绿色环保、易工业化生产等优点，可在0℃以下快速产氢，适用于多工况和复杂极限环境下的现场按需供氢，安全可靠。
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公开(公告)号：CN108545699B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201810286315.5
申请日：2018-04-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01B6/21
Abstract: 本发明公开了一种室温固相球磨直接合成硼氢化钠的方法，室温条件下，采用球磨机对还原剂、补钠剂和被还原的材料的混合物进行固相球磨，提纯后得到硼氢化钠；所述还原剂包含镁、氢化镁、铝、硅化钙和硅化镁中一种以上；所述补钠剂包括氢氧化钠、氢化钠和碳酸钠中一种以上；所述被还原的材料为含有结晶水的四硼酸钠或者四硼酸钠，或为含有结晶水的四硼酸钠和四硼酸钠的混合物；所述固相球磨在氩气和氢气的混合气氛或者氩气气氛或者氢气气氛下进行。本发明具有生产流程简短，反应条件温和，成本低，产量高，无污染，安全系数高和易工业化生产的优点。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN106477523B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610835517.1
申请日：2016-09-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01B6/21
Abstract: 本发明公开了一种室温固相球磨直接合成硼氢化钠的方法，室温条件下，采用球磨机对还原剂和被还原的材料的混合物进行固相球磨，提纯后得到硼氢化钠；所述还原剂包含镁、氢化镁、铝、钙和硅化镁中一种以上；所述被还原的材料为含有结晶水的偏硼酸钠或者偏硼酸钠，或为含有结晶水的偏硼酸钠和偏硼酸钠的混合物；所述固相球磨在氩气和氢气的混合气氛或者氩气气氛或者氢气气氛下进行。本发明具有工艺简单，反应过程可控可调，反应条件温和，能耗小，成本低，产量高，无污染，安全性好，易工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN108609581A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810513261.1
申请日：2018-05-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于水解制氢的技术领域，公开了一种提高硼氢化镁抗氧化性及调控其水解制氢速率的方法。提高硼氢化镁抗氧化性的方法：将Mg(BH4)2与氨源复合，得到Mg(BH4)2氨合物，从而实现Mg(BH4)2抗氧化性提高。调控硼氢化镁水解制氢速率的方法：(1)将Mg(BH4)2与氨源复合，获得Mg(BH4)2氨合物；Mg(BH4)2氨合物的通式为Mg(BH4)2·xNH3，其中0.5≤x≤6；(2)将氨合物与水反应，产生氢气；氨合物中x不同，水解速度不同，通过调配氨合物中x，调控产氢速率。本发明将Mg(BH4)2与氨源复合，提高硼氢化镁抗氧化性；氨合物水解制氢，室温下稳定进行，且无明显放热效应。
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公开(公告)号：CN108455530A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810304985.5
申请日：2018-04-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01B6/21
Abstract: 本发明属于硼氢化钠制备的技术领域，公开了一种室温固相球磨直接合成硼氢化钠的方法。所述室温固相球磨直接合成硼氢化钠的方法，包括以下步骤：室温条件下，将还原剂和含结晶水的偏硼酸钠进行固相球磨，反应后生成硼氢化钠。所述还原剂为氢化钛、铝化钛、铝单质和三铝化钛中一种以上。所述固相球磨在非氧化性气氛下进行。本发明的方法简单，反应过程可控可调，反应条件温和，能耗小，成本低，无污染，安全性好，易工业化生产。
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公开(公告)号：CN105701757A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610024547.4
申请日：2016-01-13
Applicant: 华南理工大学 , 广州市人民印刷厂股份有限公司
IPC: G06T1/00
Abstract: 本发明提供了一种基于数字水印和图形码的产品防伪方法及装置，方法包括：获取产品防伪标识的底纹图像和待嵌入水印对应的水印信息，对底纹图像和水印信息进行预处理，得到标准编码格式的底纹图像和加密水印信息；对标准编码格式的底纹图像进行空间颜色变换并提取亮度分量；将加密水印信息嵌入提取的亮度分量；根据嵌入加密水印信息的亮度分量生成嵌入数字水印的底纹图像，根据产品的种类确定需要喷印的图形码图像，将图形码图像与嵌入数字水印的底纹图像叠加，并将叠加后的图像作为产品防伪标识喷印在产品表面。本发明无需针对不同种类产品分别制作基于图形码的数字水印图像，降低工作量，提高工作效率，适用于批量产品的防伪标识喷印。
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