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公开(公告)号：CN114464275B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210179184.7
申请日：2022-02-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G16C60/00 , G16C20/30 , G16C20/70 , G06N3/047 , G06N3/048 , G06N3/08 , G06F40/284 , G06F40/289
Abstract: 本发明公开了基于互信息的材料属性性质关系预测模型建立方法及应用，属于材料大数据领域，包括：收集材料科学领域内的科学文献，并进行文本处理，得到描述符集合#imgabs0#并将各描述符转换为向量，得到语料库#imgabs1#描述符为描述材料属性或性质的词汇；计算#imgabs2#中每两个描述符向量之间的互信息，作为材料属性性质关系；建立神经网络模型，以向量化的描述符为输入，用于预测输入的描述符向量与#imgabs3#中各向量之间的互信息，作为材料属性性质关系；利用#imgabs4#和所计算的互信息对模型进行训练，得到用于预测材料属性性质关系的预测模型。本发明能够在占用较少的计算资源的情况下，快速预测出材料属性和性质的量化关系，并进一步完成对已知材料和未知材料的筛选和预测。
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公开(公告)号：CN113594360B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202110812068.X
申请日：2021-07-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/30 , C23C14/34 , C30B25/02 , C30B29/02 , C30B29/12 , C30B29/16 , C30B29/38 , C30B29/46
Abstract: 本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层，其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中，填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层，并通过活性金属扩散形成导电细丝，符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。
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公开(公告)号：CN116282124B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202310334529.6
申请日：2023-03-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电催化领域，并具体公开了一种铜基纳米材料及其制备方法和应用、以及电催化工作电极，其包括如下步骤：在CuSO4溶液中滴入氨水形成铜氨络合物，然后将NaOH溶液倒入，得到前驱物Cu(OH)2纳米带溶液；将CO2气体通入前驱物Cu(OH)2纳米带溶液，得到Cu2(OH)2CO3材料。该Cu2(OH)2CO3材料为海胆状纳米颗粒，将其作为CO2还原制乙烯的电催化剂，在反应过程中会形成树枝状结构，具有丰富的Cu0/Cu+活性位点，此类活性位点能够降低碳碳耦合的能垒，使材料表现出安培级电流二氧化碳电还原制乙烯的性能。
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公开(公告)号：CN114300578B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111622924.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了热载流子注入型单像素光电探测器件、制备方法及系统。所述方法包括：在衬底表面沉积金属，并退火形成金属纳米颗粒；采用化学气相沉积法在金属纳米颗粒表面形成二维半导体层，形成陡峭且具有清洁界面的金属‑半导体肖特基异质结；在所述半导体层上制备栅极、栅介质层、源级和漏极，得到所述热载流子注入型单像素光电探测器件。本发明中形成了具有清洁界面的金属‑半导体肖特基异质结，在光照下，金属纳米颗粒的局域表面等离激元发生非辐射衰减产生热载流子，越过金属‑半导体之间的肖特基势垒注入半导体，实现热载流子皮秒级别的超快传输和对入射光的超快响应；可实现超快响应速度、宽光谱、低成本的单像素光电成像。
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公开(公告)号：CN116093260A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310034042.6
申请日：2023-01-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M4/134 , H01M4/62 , H01M4/38 , H01M4/1395 , H01M10/0525 , H01M10/054
Abstract: 本发明提供了一种多层结构一体化的碱金属电极、其制备方法和应用，属于新能源领域，本发明的多层结构一体化的碱金属电极包括集电体层、过渡层和活性层，可通过过渡层调控电极面容量及电极活性，其具有优异的机械性能、化学和电化学稳定性，制备工序简单且电极中的碱金属含量及分布可灵活调控。本发明制备的锂、钠、钾基碱金属电极作为负极分别用于锂金属电池、钠金属电池、钾金属电池时，可以提升电池性能，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113410287B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202010187667.2
申请日：2020-03-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维SnSe‑SnSe2 p‑n异质结及其制备方法，包括如下步骤：S1将碘化亚锡和硒粉混合获得前驱体，将该前驱体加热生成SnSe2晶体材料，通入载气将所述SnSe2晶体材料带至衬底处，使其在衬底上进行沉积，以此形成二维SnSe2晶体材料；S2将所述二维SnSe2晶体材料进行加热，使其在高温下部分分解原位得到SnSe‑SnSe2 p‑n异质结。本发明能够降低反应温度，减小制备过程中的能耗，同时克服了湿化学和机械合成的难题，实现二维层状材料的可控制备。
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公开(公告)号：CN115161761A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210735594.5
申请日：2022-06-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级二维氧化锑单晶薄膜的批量化制备方法及产品，属于二维无机分子单晶薄膜制备领域，方法以无机分子晶体Sb2O3粉末为蒸发源，以单晶范德华层状材料为生长衬底，采用热蒸镀的方法将Sb2O3分子沉积到所述生长衬底上，所述生长衬底温度40℃‑200℃，通过所述生长衬底诱导Sb2O3晶核单一取向、抑制其他取向的作用，形成取向一致的Sb2O3单晶晶粒，随着反应时间的延长Sb2O3单晶晶粒逐渐拼接成晶圆级Sb2O3单晶薄膜；所述单晶范德华层状材料为单晶石墨或h‑BN。本发明工艺流程简单且可控性强，得到的Sb2O3单晶薄膜尺寸大、有望应用于晶圆级薄膜的工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN114197036B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111535579.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维CuCrS2晶体材料及其制备方法，其包括如下步骤：将铜粉和铬粉混合作为金属源，将金属源放置在位于中心温区的衬底上；将硫粉放置在中心温区上游，对其单独加热生成硫蒸气，并通过载气将硫蒸气带入预热后的中心温区，同时控制中心温区温度为800℃～950℃，反应时间为5min～30min，使衬底表面的金属源与硫蒸气充分反应，生成二维CuCrS2晶体材料。本发明方法能合成高质量、纯相的二维CuCrS2晶体材料。
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公开(公告)号：CN111320153B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010154342.4
申请日：2020-03-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于二维材料领域，并具体公开了一种二维层状GeP材料及其制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：S1采用锗单质和红磷制备GeP单晶块体；S2对GeP单晶块体进行电化学剥离得到二维层状GeP材料，电化学剥离时采用0.3mol/L～0.8mol/L的四丁基氨离子液体作为电解液。本发明通过电化学剥离的方法制备出不同厚度的二维层状GeP纳米薄片，从而解决传统制备方法效率低、不易控制的问题，进一步提高制备二维材料制备的均匀性和可控性，制备出的二维材料在储能、生物载药、催化、非线性光学等方面有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114197036A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111535579.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维CuCrS2晶体材料及其制备方法，其包括如下步骤：将铜粉和铬粉混合作为金属源，将金属源放置在位于中心温区的衬底上；将硫粉放置在中心温区上游，对其单独加热生成硫蒸气，并通过载气将硫蒸气带入预热后的中心温区，同时控制中心温区温度为800℃～950℃，反应时间为5min～30min，使衬底表面的金属源与硫蒸气充分反应，生成二维CuCrS2晶体材料。本发明方法能合成高质量、纯相的二维CuCrS2晶体材料。
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