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公开(公告)号：CN102082108B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201010519775.1
申请日：2010-10-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳深沟槽结构侧壁形貌快速测量方法及装置，能够同时快速测量微纳深沟槽结构线宽、沟槽深度、侧壁角、侧壁粗糙度等侧壁形貌参数。步骤为：将波长为从近红外到中红外的光束经起偏后得到的椭圆偏振光投射到待测结构表面；采集待测结构表面零级衍射信号，计算得到微纳深沟槽结构测量红外椭偏光谱；采用分波长建模方法分别计算在近红外和中红外波段理论椭偏光谱，采用分步光谱反演方法与实验测量红外椭偏光谱匹配，依次提取出沟槽结构参数和粗糙度参数。装置包括红外光源、第一至第四离轴抛物镜、迈克尔逊干涉仪、平面反射镜、起偏器、样品台、检偏器、探测器和计算机；是一种非接触、非破坏性、低成本、快速侧壁形貌测量手段。
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公开(公告)号：CN101881599B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010223106.X
申请日：2010-07-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米结构三维形貌测量方法及其装置，可以同时测量纳米结构线宽、深度、侧墙角、线缘粗糙度、线宽粗糙度等三维形貌参数的方法及装置。本发明方法步骤如下：将波长为紫外到近红外波段的光束经分光、起偏、前后相位补偿得到的椭圆偏振光投射到待测；采集待测结构表面反射零级衍射信号，计算得到纳米结构测量穆勒矩阵；将测量穆勒矩阵与理论穆勒矩阵进行匹配，提取得到待测纳米尺寸结构的三维形貌参数值。本发明所提供的纳米结构三维形貌参数测量装置，能为基于图形转移的批量制造方法如光刻和纳米压印等工艺中所涉及的一维和二维亚波长周期性结构，提供一种非接触、非破坏性、低成本、快速测量手段。
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公开(公告)号：CN101799273A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010133464.1
申请日：2010-03-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米级尺寸结构测量方法及装置，可以同时测量纳米级尺寸结构宽度、深度、侧墙角等参数。本发明方法步骤如下：将白光光束经滤光、起偏后垂直投射到包含纳米级尺寸结构的样件表面；采集样件表面反射信号，计算得到纳米级尺寸结构显微成像图；将测量离焦扫描成像分布图与理论离焦扫描成像分布图进行匹配，提取得到待测纳米级尺寸结构的几何参数值。本发明所提供的纳米级尺寸结构测量装置，能为纳米制造技术如传统光刻和纳米压印等基于图形转移的批量化制造技术中所涉及的各种典型纳米级尺寸结构，如孤立线条阵列结构、密集型线条阵列结构提供一种非接触、非破坏性、低成本、快速测量手段。
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公开(公告)号：CN101393015B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810197279.1
申请日：2008-10-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳深沟槽结构在线测量方法及装置。其方法是将线偏振红外光束投射到含有深沟槽结构的样件表面，对沟槽结构各界面反射光形成的干涉信号进行滤波等处理得到测量反射光谱；采用基于偏振的等效介质理论构建该深沟槽结构等效光学模型，计算其理论反射光谱；采用人工神经网络结合局部搜索算法的快速参数提取方法，通过理论反射光谱拟合测量反射光谱，快速提取沟槽的宽度和深度，实现深沟槽几何形貌参数的精确在线测量。装置包括红外光源，红外偏振片，干涉仪，平面反射镜和二个离轴抛物镜以及红外探测器。装置可实现场效应管和动态随机存储器中高深宽比深沟槽结构加工过程深度及宽度的在线测量，具有非破坏性，快速和低成本的特点。
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公开(公告)号：CN100587394C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710053292.5
申请日：2007-09-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳深沟槽结构测量方法及装置，能够同时测量微纳深沟槽结构沟槽深度、宽度和薄膜厚度。其方法是将红外光束投射到含有深沟槽结构的硅片表面，分析从深沟槽结构各分界面反射形成的干涉光得到测量反射光谱；采用等效介质理论构建该深沟槽结构等效多层薄膜堆栈光学模型的理论反射光谱，利用模拟退火算法和基于梯度的优化算法，通过理论反射光谱对该测量反射光谱进行拟合，进而提取沟槽的深度及宽度等集合特征参数，实现了高深宽比深沟槽宽度和深度等尺寸的精确测量。本发明装置，可实现动态随机存储器(DRAM)上电容器典型深沟槽结构的测量，具有非接触性，非破坏性和低成本的特点。
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公开(公告)号：CN201138196Y
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200720087376.6
申请日：2007-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种微纳深沟槽结构测量装置，包括红外光源、干涉仪、探测光路、样品台、接收光路、探测器、放大器、滤波器、模数转换器和计算机；红外光源、干涉仪和探测光路依次位于同一光路上，探测光路的出射光与样品台的上表面法线之间的夹角为45°，接收光路与样品台上表面法线之间的夹角为45°，探测器位于接收光路的出光口，探测器、放大器和滤波器依次相连，滤波器通过模数转换器与计算机连接。本实用新型装置，可实现动态随机存储器(DRAM)上电容器典型深沟槽结构的测量，具有非接触性，非破坏性和低成本的特点。
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