-
公开(公告)号：CN108762359B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201711483345.7
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高电源抑制比的超低功耗电源结构，包括：第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandgap模块、第二Bandgap模块以及切换电路；其中，第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压，第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供LDO输出电压；第一Bandgap模块工作在主电源电压下，第二Bandgap模块是工作在LDO输出电压VDD下的基准源，切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及第一电平转换电路，切换电路能够将上电启动时由第一Bandgap模块输出第一参考电压的模式切换为上电启动完成后由第二Bandgap模块输出第二参考电压的模式。本发明的超低功耗电源结构的结构简单、鲁棒性好，从结构上优化了PSRR性能，并且显著降低了系统的功耗，实现了低功耗目标值。
-
公开(公告)号：CN106599971B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201611142363.4
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种电子标签电源整流电路，包括：能量获取电路、充电控制电路、电源检测电路、输出稳压电容，所述能量获取电路的第一输入端与第一天线相连，第二输入端与第二天线相连，输出端与所述充电控制电路的输入端相连；所述第一天线和所述第二天线不同时输出高电平；所述充电控制电路的控制端与所述第一天线、所述第二天线、所述电源检测电路的输出端分别相连，所述充电控制电路的输出端与所述输出稳压电容的第一端、电源电压分别相连；所述电源检测电路的输入端与所述输出稳压电容的第二端相连；所述输出稳压电容的第二端接地。
-
公开(公告)号：CN109743032A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910015848.4
申请日：2019-01-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江西省电力有限公司
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种具有共模反馈控制电路的反相伪全差分放大器以及保持输出共模电平稳定的方法，该反相伪全差分放大器包括伪全差分运算电路和共模反馈控制电路。伪全差分运算电路包括反相器放大器(2)和(3)，反相器放大器(2)和(3)分别具有第一反馈控制端子和第二反馈控制端子。共模反馈控制电路的输入端分别与反相器放大器(2)和(3)的输出端相连，用于检测反相器放大器(2)和(3)的共模输出电压，共模反馈控制电路的输出端分别与第一反馈控制端子和第二反馈控制端子相连，用于对反相器放大器(2)和(3)形成共模反馈从而保持共模输出电平的稳定。该反相伪全差分放大器能够在低压低功耗的应用场合下保持输出共模电平的稳定。
-
公开(公告)号：CN108762359A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201711483345.7
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高电源抑制比的超低功耗电源结构，包括：第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandbap模块、第二bandbap模块以及切换电路；其中，第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压，第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供LDO输出电压；第一Bandbap模块工作在主电源电压下，第二bandbap模块是工作在LDO输出电压VDD下的基准源，切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及电平转换电路，切换电路能够将上电启动时由第一Bandbap模块输出第一参考电压的模式切换为上电启动完成后由第二Bandbap模块输出第二参考电压的模式。本发明的超低功耗电源结构的结构简单、鲁棒性好，从结构上优化了PSRR性能，并且显著降低了系统的功耗，实现了低功耗目标值。
-
公开(公告)号：CN108259040A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810153781.6
申请日：2018-02-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法。该方法包括以下步骤：提供一种全差分SAR‑ADC，其包括多个电容，所述多个电容包括第一电容和第二电容，且所述多个电容的电压二阶系数值包括正数和负数；将满足特定条件的第一电容和第二电容进行并联从而使并联后的电容的电压二阶系数为0，所述特定条件为A1K1+A2K2＝0，其中A1为第一电容的电压二阶系数，A2为第二电容的电压二阶系数，K1是第一电容的理想电容值，K2是第二电容的理想电容值。该消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法能够消除或降低电容电压系数对全差分SAR‑ADC的性能影响，降低高精度SAR‑ADC的设计瓶颈。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107608440A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711014994.2
申请日：2017-10-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种带隙基准参考源电路，包括：第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和差分放大器；差分放大器的第一端与第四电阻和第二电阻之间的连接节点相连，差分放大器的第二端与第五电阻和第一电阻之间的连接节点相连；差分放大器的第一端的电压与第二端的电压相同。该带隙基准参考源电路，通过选取适当的阻值，可以得到小于1V的带隙基准电压，并可以使得当VDD小于1V时也保证带隙基准参考源电路正常工作。同时，可以消除温度引起漏源电压变化，从而降低沟道调制效应的影响。
-
公开(公告)号：CN107462827A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710769874.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G01R31/317 , G01R19/165
CPC classification number: G01R31/31721 , G01R19/16552
Abstract: 本发明公开了一种带有内部稳压器的电源毛刺检测电路，包括：稳压模块，该稳压模块包括稳压器，稳压模块用于产生稳定的与芯片高压电源VDDH无关的电压输出VR_OUT；毛刺检测模块，其被构造为检测电源glitch并输出报警信号，电压输出VR_OUT作为毛刺检测模块的电源；电平转换输入模块，用于将来自Core电源域的数字信号转换为VR_OUT电源域的数字信号；以及电平转换输出模块，用于将来自VR_OUT电源域的数字信号转换为Core电源域的数字信号。本发明的电源毛刺检测电路的电源具有较高的独立性、抗干扰性，能够提升PGD电路工作时的稳定性和可靠性，对glitch攻击的响应速度快，且判断glitch触发点精准性高。
-
公开(公告)号：CN106599974A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611140950.X
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明涉及一种电子标签的电源整流电路，包括：控制电路、第一整流及电压调整电路、第二整流及电压调整电路、电源检测电路以及稳压电容；通过电源检测电路采集所述稳压电容的第一端的电压，根据所述稳压电容的第一端的电压向所述控制电路发送反馈信号；控制电路用于根据所述反馈信号、第一天线信号和第二天线信号控制所述第一整流及电压调整电路或所述第二整流及电压调整电路对所述稳压电容进行充电，通过电源检测电路控制稳压电容第一端的电压在芯片工作的所需范围内，电路结构简单并且减少芯片面积。
-
公开(公告)号：CN106599971A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611142363.4
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
CPC classification number: G06K19/0701 , H02J5/005 , H02J7/025
Abstract: 本发明实施例提供了一种电子标签电源整流电路，包括：能量获取电路、充电控制电路、电源检测电路、输出稳压电容，所述能量获取电路的第一输入端与第一天线相连，第二输入端与第二天线相连，输出端与所述充电控制电路的输入端相连；所述第一天线和所述第二天线不同时输出高电平；所述充电控制电路的控制端与所述第一天线、所述第二天线、所述电源检测电路的输出端分别相连，所述充电控制电路的输出端与所述输出稳压电容的第一端、电源电压分别相连；所述电源检测电路的输入端与所述输出稳压电容的第二端相连；所述输出稳压电容的第二端接地。
-
公开(公告)号：CN119645184A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411664011.X
申请日：2024-11-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明实施例提供一种LDO电路、芯片和电子设备，属于模拟芯片技术领域。所述LDO电路包括：输入电路，接入参考电流，并至少通过主晶体管来对应输出参考电压；放大电路，其接入参考电压并进行放大；以及反馈电路，一端经晶体管对管连接所述放大电路的输出端，另一端向所述放大电路反馈电压并作为所述LDO电路的输出端。其中，所述主晶体管和所述晶体管对管均工作在亚阈值区，且所述放大电路的放大倍数被配置为使得流过所述主晶体管和所述晶体管对管的电流相等。本发明实施例的LDO电路利用处于亚阈值区的晶体管，并配合放大电路的放大倍数，产生了可供LDO电路确定输出的电压，不需要基准电路，电路简单且功耗低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
222
records
(took 0.074 seconds)
