硅-相变材料异质集成波导结构、非易失波导移相器

    公开(公告)号:CN116243423A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202310229530.2

    申请日:2023-03-10

    Abstract: 一种硅‑相变材料异质集成波导结构,包括硅平板层,以及沉积在该硅平板层上的相变材料。以及一种非易失波导移相器,包括基层,以及固定在该基层上的异质集成波导结构和硅波导模斑转换结构,异质集成波导结构的两端对称连接所述的硅波导模斑转换结构;硅波导模斑转换结构,包括呈轴对称设置的两个由窄变宽的硅波导,以及设置在该两个硅波导上方之间的由宽变窄的脊形波导;氧化铝薄膜覆盖在相变材料的上方,在所述的氧化铝薄膜上方的是单层石墨烯,该单层石墨烯上是金属层,所述的金属层包括二个金属电极。单层石墨烯与金属电极形成欧姆接触,电流通过石墨烯产生热量,经单层石墨烯下方的氧化铝薄膜进行传导,提供低损耗相变材料相变所需的热量。本发明移相器具有结构紧凑、插入损耗低、驱动电压小、相变功耗低、相位调节非易失等优点,可以作为集成光电子芯片中的核心光路调控器件。

    一种基于无源功率分束器件的免校准光学相控阵

    公开(公告)号:CN115877354A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211491351.8

    申请日:2022-11-25

    Abstract: 本发明涉及一种基于无源功率分束器件的免校准光学相控阵,包括光源输入区、模式转换区、连接区、阵列波导和光栅区;所述光源输入区采用外部光源耦合的方式输入信号光;所述模式转换区基于无源功率分束器件,所述连接区位于模式转换区和阵列波导之间,所述模式转换区和连接区共同构成分束器,将单束信号光分束为多路光信号分散至阵列波导内部;所述阵列波导上设置相位调控区,对分散至阵列波导的多路光信号相位进行调节;所述光栅区,将相位调节后的多路光信号光束发射到自由空间。有益效果是不需要额外对相位调节单元进行校准、分束数量不受限制。

    基于片上超透镜结构的波长解复用器件

    公开(公告)号:CN113885137B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202111092595.4

    申请日:2021-09-17

    Abstract: 一种基于片上超透镜结构的波长解复用器件,包括输入波导、准直超透镜、色散聚焦超透镜、输出波导阵列。从输入波导进来的光经过准直超透镜变成平行光,再经过色散聚焦超透镜偏转并聚焦耦合到输出波导阵列。不同波长的光经过色散聚焦超透镜后具有不同的偏转角度,因此能进入到不同位置的输出波导,由此实现波长解复用。本发明采用超透镜结构灵活操控光波相位平面,可以实现超紧凑波长解复用器,且易于硅基集成。

    硅基N×N光开关芯片自动校准系统和方法

    公开(公告)号:CN115792763A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211512218.6

    申请日:2022-11-29

    Abstract: 一种硅基N×N光开关芯片自动校准系统和方法,通过光开关阵列芯片中扩展级冗余端口上的光电探测器,来监控片上光路状态,通过模拟选择开关来分时读取光电探测器的光功率给微处理器,利用部署在微处理器中的自动校准算法对光开关阵列中所有单元的状态完成快速、自动地标定。本发明可以有效减少的片上光电探测器和外围模数转换器的数量,实现硅基光开关芯片状态的快速标定,具有方法简单、标定速度快、成本低等优点。

    光信号调制装置、光信号调制方法及传输设备

    公开(公告)号:CN115720116A

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202110977054.3

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明提供了一种光信号调制装置、光信号调制方法及传输设备。装置包括光信号输入端,用于接收多模光信号;第一模式转换器与光信号输入端连接,第一相位调节模块用于调整第一模式转换器对多模光信号中的基模光信号和高阶模光信号的转换处理;光信号调制模组与第一模式转换器连接,用于对来自第一模式转换器的高阶模光信号进行调制处理以及透传来自基模光信号;第二模式转换器与光信号调制模组连接,第二相位调节模块用于调整第二模式转换器对来自光信号调制模组的基模光信号和高阶模光信号的转换处理;光信号输出端与第二模式转换器连接,用于输出来自第二模式转换器的基模光信号和高阶模光信号;能够降低系统的复杂度。

    基于微环结构的硅基电光调制器及其调制方法

    公开(公告)号:CN115598871A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211249271.1

    申请日:2022-10-12

    Abstract: 一种基于微环结构的硅基电光调制器及其调制方法,所述硅基微环调制器包括一条直波导以及与其靠近的环形波导,所述的环形波导包括多段调制区,调制区采用耗尽型PN二极管结构,且相邻两段调制区的P型掺杂区分别在微环内外两侧,N型掺杂区相反。具体来讲,若该段调制区的P型掺杂区位于微环内侧,N型掺杂区位于微环外侧,则其相邻段调制区PN结的P型掺杂区位于微环外侧,N型掺杂区位于微环内侧。相邻两段调制区通过分布在重掺杂区上方的金属电极形成串联,本发明提供的硅基微环电光调制器,通过PN结分段串联的方式,减小了结电容,提升了硅基微环调制器的带宽,有利于实现更高码率的信号调制。

    基于波分复用的集成多波束光相控阵延迟网络

    公开(公告)号:CN108761439B

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN201810424574.X

    申请日:2018-05-07

    Abstract: 一种用于微波光子多波束相控阵雷达的基于波分复用的集成多波束光相控阵延迟网络,由N路行波导、N×M微环分束器、N×M固定光真延迟网络、M路可调光真延迟阵列和M路列波导构成,所述的N×M个微环分束器排布成N行、M列,所述的N×M固定光真延迟网络与所述的N×M个微环分束器相连。本发明只需M个可调单元,即可实现M阵元、N波束的相控阵雷达,具有结构控制简单、灵活、集成度高、瞬时带宽大、分辨率高的优点。

    基于硅-氮化硅三维集成的微环光开关

    公开(公告)号:CN113985522A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111235276.4

    申请日:2021-10-22

    Abstract: 一种基于硅‑氮化硅三维集成的微环光开关,由横向排布的硅波导和纵向排布的顶层氮化硅波导构成三维波导交叉结,并与中间层的氮化硅波导级联微环通过竖向耦合形成。利用层间耦合器实现中间层的氮化硅波导与其他两层波导的层间耦合,协助光信号在三层波导之间转换。本发明利用底层硅波导掺杂形成微加热器,通过在掺杂波导两端加电产生热量来调节中间层氮化硅微环的谐振波长,对光信号进行路径切换,具有功耗低的优点。当光信号的波长和微环的谐振波长匹配时,两束相反方向的光信号可同时在该器件中路由。本发明的光开关结构加工容差大,不需要额外的功耗来补偿工作波长偏移,且对温度不敏感,不需要复杂的控制电路。

    一种硅基可重构微波光子多波束形成网络芯片

    公开(公告)号:CN113885128A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202111122981.3

    申请日:2021-09-24

    Abstract: 本发明涉及一种硅基可重构微波光子多波束形成网络芯片,包括光纤耦合器、光开关阵列、光分路器、超宽带连续可调光真延迟线阵列和探测器阵列;所述光纤耦合器用于输入微波光子相控阵雷达的单边带调制光信号,所述光开关阵列和光分路器用于形成微波光子多波束和微波光子单波束所用阵元数目的重构,所述超宽带连续可调光真延迟线阵列用于独立地调节每个微波阵元上的延迟,所述探测器阵列用于输出微波信号。有益效果是用于微波光子相控阵雷达,实现大瞬时带宽、高分辨率、可重构微波光子多波束形成。

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