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公开(公告)号：CN102800850B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210274130.5
申请日：2012-08-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法，使用两个内径不同的中空石墨坩埚，使得两个坩埚相互嵌套，其中一个石墨坩埚放置硅源，另一个石墨坩埚放置镀铁的硅片作为基底，并将两个坩埚放置在适当位置；迅速将温度升高至950摄氏度，保持温度5分钟后降低感应炉功率，使温度在数秒内下降至850摄氏度左右，继续保持5分钟后关闭电源。在硅片基底上可以得到三维纳米结构，具体为较粗的硅纳米线构成三维结构的骨架，在骨架间隙内填充有极细的硅纳米丝状物。所得材料具有较大的比表面积和牢固的三维骨架，因此在锂电池和高性能传感器中有较好的应用。
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公开(公告)号：CN104057099A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410254025.4
申请日：2014-06-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄纳米多孔铜箔的制备方法，利用水热法，将含Cu2+前驱体液在密封高压反应釜中一定温度下反应数小时后，便可在反应釜内壁得到超薄纳米多孔铜箔。本发明过程简单，安全可靠，无毒无污染，且成本较低；生产得到的纳米多孔铜箔为无支撑的，其厚度可薄到1.0～3.0μm，尺寸可达到几十平方厘米，且具有较好的机械性能；可通过调整前驱液各成分浓度、反应温度及时间等能得到不同粒径及孔径的纳米多孔铜箔，使其满足多种用途的需求。
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公开(公告)号：CN104057098A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410253457.3
申请日：2014-06-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳米结构多孔铜粉的制备方法，首先将氢氧化钠溶液与Cu2+离子溶液混合，通过滴加一定量的乙二醇而得到含Cu2+前驱体液；然后将前驱体液移入反应釜中，密封后在一定温度下水热反应数小时；最后将反应后得到的沉淀物洗涤、沉降及真空干燥，即可得到微纳米结构多孔铜粉。本发明过程简单，安全可靠，无毒无污染，且成本较低；得到的微纳米结构多孔铜粉纯度高、形貌多样、粒度及孔径可变、比表面积大，能满足许多领域对铜粉的需求。
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公开(公告)号：CN103613088A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310601612.1
申请日：2013-11-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备孔间距一致的碳纳米管刷的方法。将孔间距一致的孔道模板放入管式炉中，利用化学气相沉积法生长碳纳米管阵列，每个孔道中生长一根碳纳米管；将生长了碳纳米管阵列的模板用砂纸打磨后粘附于硅片、玻璃或柔性聚酰亚胺基底上，置于室温下固化；最后除去孔道模板的骨架成分，用去离子水进行清洗并烘干，露出刷毛，形成碳纳米管刷。本发明工艺简单，实用性强，制成碳纳米管刷的刷毛疏密可控，长度一致，便于大规模工业生产，在微电子领域清洁方面有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN103225862A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310113518.1
申请日：2013-04-02
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02B30/80
Abstract: 本发明公开了一种电离水蒸气产生负离子的装置，包括超声雾化加湿器、负高压电源以及设置在超声雾化加湿器的喷管内的两组相对应的多级尖端放电电极，所述两组多级尖端放电电极下端均设置有“U”型排水结构，所述负高压电源的负极线和地线分别与两组相对应的多级尖端放电电极电连接。本发明装置不会产生诸如氮的氧化物的这一类有害气体，同时也比仅依靠超声雾化作用来产生的负离子要高出至少一个数量级，并且可以杀死水雾中的细菌从而降低肺炎等疾病的潜在发病率。此外，接地极的电极对大粒径水雾表现出相对较大的收集现象，使水雾粒径更为细小均匀，可以改善水雾的加湿特性减轻由加湿器引起的空气混浊现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102602911A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210062088.0
申请日：2012-03-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种采用低压反应性气体可控性制备单壁碳纳米管的方法，在充有低压反应性气体的缓冲气氛中，以Ni/Y、Fe或Ni/Co/Fe等过渡性金属为催化剂，硫为生长促进剂与高纯石墨粉混合制得阳极，与纯石墨阴极进行电弧放电，通过控制放电电流/电压和低压反应性气体压力、种类等实现单壁碳纳米管的可控性制备。与现有技术相比，本发明的方法工艺简单灵活、所制备的单壁碳纳米管直径可控、且有利于抑制无定形碳的产生，便于大规模制备。
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公开(公告)号：CN102530854A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014357.6
申请日：2012-01-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，首先把均匀分散在有机溶剂中的碳纳米管溶液滴在载玻片上并烘干；然后将烘干后载玻片放入等离子处理设备中并抽真空至10-2Pa。通过调控刻蚀过程等离子体处理腔内低压气体的压力、等离子体功率、刻蚀时间等参数来实现金属性单壁碳纳米管的刻蚀，从而留下半导体性单壁碳纳米管。与现有技术相比，本发明采用室温等离子体刻蚀法制备半导体性单壁碳纳米管，工艺简单、便于大面积制备半导体单壁碳纳米管。
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公开(公告)号：CN102515142A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110428517.7
申请日：2011-12-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种低纯度单壁碳纳米管的提纯方法，通过空气氧化、超声分散、不同速度离心分离、双氧水回流来实现低纯度单壁碳纳米管的提纯。具体包括以下步骤：首先把空气氧化处理后的单壁碳纳米管产物加入到表面活性剂溶液中进行超声分散；接着进行低速、高速离心分离去除杂质粒子；然后将高速离心后上清液进行压滤并与双氧水混合进行加入回流；最后通过抽虑、冲洗、干燥即可得到高纯度的单壁碳纳米管。与现有技术相比，本发明无需单独利用盐酸去除催化剂而造成废液污染，而是利用催化剂氧化后增重更有利于离心分离，最终将其去除。其次，提纯过程以离心分离为主，辅助弱氧化剂(H2O2)氧化对单壁碳纳米管的结构破坏较小。
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公开(公告)号：CN101723355B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910310446.3
申请日：2009-11-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米材料技术领域的非晶碳包裹单壁碳纳米管线及其制备方法；该非晶碳包裹单壁碳纳米管线由无定形碳构成的外壳和包裹在该外壳中的单壁碳纳米管组成；其制备方法包括如下步骤：步骤一，将催化剂与石墨粉混合，制备石墨棒；所述催化剂为过渡金属中的一种或几种的混合；步骤二，在缓冲气体氛围中，以步骤一所得石墨棒为阳极，在电弧室中发生电弧放电，得到非晶碳包裹单壁碳纳米管线。本发明的方法工艺简单，制备的非晶碳包裹单壁碳纳米管线纯度高，表面光滑，长径比可达10～100。
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公开(公告)号：CN102001699A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010577289.5
申请日：2010-12-08
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米材料技术领域的纳米氧化铟的制备方法，首先将纯度为99.99％的铟粉倒入石墨坩埚并震实，作为阳极，然后将其放入电弧室中；关闭电弧室、启动机械泵，将电弧室的真空度抽至1kPa～20kPa，然后向电弧室充入缓冲气体；在充有空气和缓冲气体的电弧室内，阴阳两极发生电弧放电，即可制得纳米氧化铟。本发明具有成本低、效率高、纯度好等特点。
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