使用微结构化的中子探测器的中子孔隙度测井工具

    公开(公告)号:CN103261915B

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201180057696.6

    申请日:2011-11-16

    Inventor: H.C.克利门

    CPC classification number: G01V5/107 G01T3/08 Y10T29/49117

    Abstract: 一种中子孔隙度测量装置使用位于与腔体相距不同距离的半导体探测器,该腔体配置成容纳中子源。这些半导体探测器的每一个包括(i)半导体衬底(110),其掺杂以形成pn结,并且具有形成为从所述半导体衬底内的第一表面延伸的中子反应材料(120)的微结构,以及(ii)电极(160,170),这些电极的其中之一(160)与半导体衬底的第一表面接触以及该电极中的另一个电极(170)与半导体衬底的第二表面接触,第二表面与第一表面相对。这些电极配置成获取半导体衬底内捕获中子时发生的电信号。

    接合体及其制造方法
    80.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105282994A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201510590401.1

    申请日:2009-12-25

    Abstract: 本发明的接合体的制造方法包括:位置决定步骤,在所述衬底上形成的第一电极区域上采用如下状态中的任一个配置各向异性导电膜:其一端与所述衬底的倒角部内侧端相比更加向所述衬底的外侧突出的状态和位于所述倒角部内侧端的状态;之后,将具有光刻胶区域和第二电极区域的配线板中的、所述光刻胶区域位于与所述第二电极区域的边界的端部配置于所述倒角部上,其中所述光刻胶区域形成在配线材上且其一部分被光刻胶层覆盖,所述第二电极区域没有被所述光刻胶层覆盖;以及电极连接步骤,从所述配线材侧对所述各向异性导电膜加热加压,使其熔化并且向所述光刻胶区域侧流动,以此来覆盖所述第二电极区域,从而电气连接所述第一电极区域和所述第二电极区域。

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